MOSFETs duales del transistor de poder del Mosfet del canal de CSD87312Q3E 2 30V N-CH NexFET Pwr
Number modelo:CSD87312Q3E
Cantidad de orden mínima:Éntrenos en contacto con
Condiciones de pago:Paypal, Western Union, TT
Capacidad de la fuente:50000 pedazos por día
Plazo de expedición:Las mercancías serán enviadas en el plazo de 3 días recibieron una vez el fondo
Detalles de empaquetado:QFN
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Miembro activo
Shenzhen China
Dirección:
Sitio 1204, edificio internacional de Dingcheng, ZhenHua Road, distrito de Futian, Shenzhen, China.
Proveedor Último login veces:
Dentro de 48 Horas
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MOSFETs duales del MOSFET 30V N-CH NexFET Pwr del transistor de poder del Mosfet de CSD87312Q3E
CARACTERÍSTICAS
- Ection de CommonSourceConn
- Ultr un L dren de o w para drenar En-resistencia
- HIJO del ahorro de espacio paquete plástico de 3,3 x de 3.3m m
- Optimizado para la impulsión de la puerta 5V
- Resistencia termal baja
- Avalancha clasificada
- Galjanoplastia terminal libre del Pb
- RoHS obediente
- USOS libres del halógeno
USOS
- Adaptor/USB entró la protección para el cuaderno
- PC y tabletas
RESUMEN DEL PRODUCTO
TA = 25°C | VALOR TÍPICO | UNIDAD | ||
VDS | Drene al voltaje de la fuente | 30 | V | |
Qg | Total de la carga de la puerta (4.5V) | 6,3 | nC | |
Qgd | Puerta de la carga de la puerta a drenar | 0,7 | nC | |
RDD (encendido) | Drene para drenar en la resistencia (Q1+Q2) | VGS = 4.5V | 31 | mΩ |
VGS = 8V | 27 | mΩ | ||
VGS (th) | Voltaje del umbral | 1,0 | V | |
INFORMACIÓN EL ORDENAR
Dispositivo | Paquete | Medios | Qty | Nave |
CSD87312Q3E | HIJO paquete plástico de 3,3 x de 3.3m m | 13-en carrete del ch | 2500 | Cinta y carrete |
GRADOS MÁXIMOS ABSOLUTOS
TA = 25°C | VALOR | UNIDAD | |
VDS | Drene al voltaje de la fuente | 30 | V |
VGS | Puerta al voltaje de la fuente | +10/-8 | V |
Identificación | (1) corriente continua del dren, TC = 25°C | 27 | |
IDM | Corriente pulsada del dren (2) | 45 | |
Paladio | Disipación de poder | 2,5 | W |
TJ, TSTG | Gama de temperaturas de funcionamiento del empalme y de almacenamiento | – 55 a 150 | °C |
EAS | Energía de la avalancha, sola identificación =24A, L=0.1mH, RG =25Ω del pulso | 29 | mJ |
DESCRIPCIÓN
El CSD87312Q3E es 30V una común-fuente, dispositivo dual del canal N diseñado para la protección de la entrada de adaptor/USB. Este HIJO dispositivo de 3,3 x de 3.3m m tiene dren bajo para drenar la en-resistencia que minimiza pérdidas y ofrece la cuenta componente baja para los usos obligados espacio de la carga de batería de la multi-célula.
MOSFETs duales del transistor de poder del Mosfet del canal de CSD87312Q3E 2 30V N-CH NexFET Pwr
Carro de la investigación
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