MOSFETs duales del transistor de poder del Mosfet del canal de CSD87312Q3E 2 30V N-CH NexFET Pwr

Number modelo:CSD87312Q3E
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Capacidad de la fuente:50000 pedazos por día
Plazo de expedición:Las mercancías serán enviadas en el plazo de 3 días recibieron una vez el fondo
Detalles de empaquetado:QFN
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Shenzhen China
Dirección: Sitio 1204, edificio internacional de Dingcheng, ZhenHua Road, distrito de Futian, Shenzhen, China.
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MOSFETs duales del MOSFET 30V N-CH NexFET Pwr del transistor de poder del Mosfet de CSD87312Q3E


CARACTERÍSTICAS

  • Ection de CommonSourceConn
  • Ultr un L dren de o w para drenar En-resistencia
  • HIJO del ahorro de espacio paquete plástico de 3,3 x de 3.3m m
  • Optimizado para la impulsión de la puerta 5V
  • Resistencia termal baja
  • Avalancha clasificada
  • Galjanoplastia terminal libre del Pb
  • RoHS obediente
  • USOS libres del halógeno

USOS

  • Adaptor/USB entró la protección para el cuaderno
  • PC y tabletas


RESUMEN DEL PRODUCTO

TA = 25°C

VALOR TÍPICO

UNIDAD

VDS


Drene al voltaje de la fuente

30

V

Qg

Total de la carga de la puerta (4.5V)

6,3

nC

Qgd

Puerta de la carga de la puerta a drenar

0,7

nC

RDD (encendido)

Drene para drenar en la resistencia (Q1+Q2)

VGS = 4.5V

31

VGS = 8V

27

VGS (th)

Voltaje del umbral

1,0

V


INFORMACIÓN EL ORDENAR

Dispositivo

Paquete

Medios


Qty

Nave

CSD87312Q3E

HIJO paquete plástico de 3,3 x de 3.3m m

13-en carrete del ch

2500

Cinta y carrete


GRADOS MÁXIMOS ABSOLUTOS

TA = 25°C

VALOR

UNIDAD

VDS

Drene al voltaje de la fuente

30

V

VGS

Puerta al voltaje de la fuente

+10/-8

V

Identificación

(1) corriente continua del dren, TC = 25°C

27

IDM

Corriente pulsada del dren

(2)

45

Paladio

Disipación de poder

2,5

W

TJ, TSTG

Gama de temperaturas de funcionamiento del empalme y de almacenamiento

– 55 a 150

°C

EAS

Energía de la avalancha, sola identificación =24A, L=0.1mH, RG =25Ω del pulso

29

mJ


DESCRIPCIÓN

El CSD87312Q3E es 30V una común-fuente, dispositivo dual del canal N diseñado para la protección de la entrada de adaptor/USB. Este HIJO dispositivo de 3,3 x de 3.3m m tiene dren bajo para drenar la en-resistencia que minimiza pérdidas y ofrece la cuenta componente baja para los usos obligados espacio de la carga de batería de la multi-célula.

China MOSFETs duales del transistor de poder del Mosfet del canal de CSD87312Q3E 2 30V N-CH NexFET Pwr supplier

MOSFETs duales del transistor de poder del Mosfet del canal de CSD87312Q3E 2 30V N-CH NexFET Pwr

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