MOSFET del MOSFET 60V N-Ch NexFET Pwr del transistor de poder del Mosfet del nivel de la lógica de CSD18534Q5A
Number modelo:CSD18534Q5A
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Capacidad de la fuente:50000 pedazos por día
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Detalles de empaquetado:VSONP8
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Shenzhen China
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Sitio 1204, edificio internacional de Dingcheng, ZhenHua Road, distrito de Futian, Shenzhen, China.
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Detalles del producto
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Detalles del producto
MOSFET del MOSFET 60V N-Ch NexFET Pwr del transistor de poder del Mosfet de CSD18534Q5A
Características 1
- Qg y Qgd ultrabajos
Resistencia termal baja
Avalancha clasificada
Nivel de la lógica
Galjanoplastia terminal libre del Pb
RoHS obediente
Halógeno libre
HIJO 5 milímetros de × paquete plástico de 6 milímetros
2 usos
Conversión de DC-DC
Rectificador síncrono lateral secundario
Interruptor lateral primario aislado del convertidor
Control de motor
Descripción 3
Este 7,8 mΩ, 60 V, MOSFET del poder del milímetro NexFETTM del × 6 del HIJO 5 se diseñan para minimizar pérdidas en usos de la conversión de poder.
Resumen del producto
TA = 25°C | VALOR TÍPICO | UNIDAD | ||
VDS | voltaje de la Dren-a-fuente | 60 | V | |
Qg | Total de la carga de la puerta (10 V) | 17 | nC | |
Qgd | Puerta-a-dren de la carga de la puerta | 3,5 | nC | |
RDS (encendido) | en-resistencia de la Dren-a-fuente | VGS = 4,5 V | 9,9 | mΩ |
VGS =10V | 7,8 | mΩ | ||
VGS (th) | Voltaje del umbral | 1,9 | V | |
Información el ordenar
DISPOSITIVO | QTY | MEDIOS | PAQUETE | NAVE |
CSD18534Q5A | 2500 | carrete 13-Inch | HIJO 5 milímetros de × paquete plástico de 6 milímetros | Cinta y carrete |
CSD18534Q5AT | 250 | carrete 7-Inch |
Grados máximos absolutos
TA = 25°C | VALOR | UNIDAD | |
VDS | voltaje de la Dren-a-fuente | 60 | V |
VGS | voltaje de la Puerta-a-fuente | ±20 | V |
Identificación | Corriente continua del dren (paquete limitado) | 50 | |
Corriente continua del dren (silicio limitado), TC = 25°C | 69 | ||
Corriente continua del dren, TA = 25°C (1) | 13 | ||
IDM | Corriente pulsada del dren, TA = 25°C (2) | 229 | |
Paladio | Disipación de poder (1) | 3,1 | W |
Disipación de poder, TC = 25°C | 77 | ||
TJ, Tstg | Empalme de funcionamiento, temperatura de almacenamiento | – 55 a 150 | °C |
EAS | Energía de la avalancha, sola identificación =40A, L=0.1mH, RG =25Ω del pulso | 80 | mJ |
MOSFET del MOSFET 60V N-Ch NexFET Pwr del transistor de poder del Mosfet del nivel de la lógica de CSD18534Q5A
Carro de la investigación
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