Transistor del Mosfet del canal N 2N7002LT1G, 115mA Mos Field Effect Transistor
Number modelo:2N7002LT1G
Cantidad de orden mínima:Éntrenos en contacto con
Condiciones de pago:Paypal, Western Union, TT
Capacidad de la fuente:50000 pedazos por día
Plazo de expedición:Las mercancías serán enviadas en el plazo de 3 días recibieron una vez el fondo
Detalles de empaquetado:SOT23-3
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Miembro activo
Shenzhen China
Dirección:
Sitio 1204, edificio internacional de Dingcheng, ZhenHua Road, distrito de Futian, Shenzhen, China.
Proveedor Último login veces:
Dentro de 48 Horas
Detalles del producto
Perfil de la compañía
Detalles del producto
Canal N del MOSFET 60V 115mA del transistor de poder del Mosfet 2N7002LT1G
Características
• prefijo 2V para los usos automotrices y otros que requieren requisitos únicos del cambio del sitio y de control; AEC−Q101 calificó y PPAP capaz (2V7002L)
• Estos dispositivos son Pb−Free, halógeno Free/BFR libre y son RoHS obediente
GRADOS MÁXIMOS
Grado | Símbolo | Valor | Unidad |
Voltaje de Drain−Source | VDSS | 60 | VDC |
Voltaje de Drain−Gate (RGS = 1,0 MW) | VDGR | 60 | VDC |
Drene actual | Identificación IDENTIFICACIÓN IDM | ± 800 del ± 75 del ± 115 | mAdc |
Voltaje de Gate−Source | VGS VGSM | ± 40 del ± 20 | VDC Vpk |
CARACTERÍSTICAS TERMALES
Característica | Símbolo | Máximo | Unidad |
Tablero total de la disipación FR−5 del dispositivo (nota 3) TA =
25°C Resistencia termal, Junction−to−Ambient | Paladio RqJA | 225 1,8 556 | mW mW/°C °C/W |
Disipación total del dispositivo Resistencia termal, Junction−to−Ambient | Paladio RqJA | 300 2,4 417 | mW mW/°C °C/W |
Temperatura del empalme y de almacenamiento | TJ, Tstg | − 55 a +150 | °C |
Transistor del Mosfet del canal N 2N7002LT1G, 115mA Mos Field Effect Transistor
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