MOSFET N Ch 100V 100A TDSON-8 del transistor de poder del Mosfet de BSC046N10NS3G
Number modelo:BSC046N10NS3G
Cantidad de orden mínima:Éntrenos en contacto con
Condiciones de pago:Paypal, Western Union, TT
Capacidad de la fuente:50000 pedazos por día
Plazo de expedición:Las mercancías serán enviadas en el plazo de 3 días recibieron una vez el fondo
Detalles de empaquetado:QFN8
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Miembro activo
Shenzhen China
Dirección:
Sitio 1204, edificio internacional de Dingcheng, ZhenHua Road, distrito de Futian, Shenzhen, China.
Proveedor Último login veces:
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Detalles del producto
MOSFET N-Ch 100V 100A TDSON-8 del transistor de poder del Mosfet de BSC046N10NS3G
Características
• Carga baja misma de la puerta para los usos de alta frecuencia
• Optimizado para la conversión de DC-DC
• Canal N, nivel normal
• Producto excelente de la carga x R DS de la puerta (encendido)
(FOM)
• En-resistencia baja misma R DS (encendido)
• temperatura de funcionamiento de 150 °C
• galjanoplastia Pb-libre de la ventaja; RoHS obediente
• Calificado según JEDEC1) para el uso de la blanco •
Halógeno-libre según IEC61249-2-21
MOSFET N Ch 100V 100A TDSON-8 del transistor de poder del Mosfet de BSC046N10NS3G
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