Reguladores de transferencia de IC del regulador del poder de LM5050MK-1/NOPB LM5050MK-1PB LM5050MK-2/NOPB LM5050MKX-1/NOPB LM5050Q0MK-1/NOPB

Reguladores de transferencia de IC del regulador del poder de LM5050MK-1/NOPB LM5050MK-1PB LM5050MK-2/NOPB LM5050MKX-1/NOPB LM5050Q0MK-1/NOPB

Características 1

• Disponible en estándar y AEC-Q100 calificó las versiones LM5050Q0MK-1 (hasta 150°C TJ) y LM5050Q1MK-1 (hasta 125°C TJ)

• Gama de voltaje entrado de funcionamiento ancha, VIN: 1 V a 75 V (VBIAS requirió para VIN < 5="" V="">

• capacidad transitoria 100-V

• Conductor de la puerta de la bomba de carga para el MOSFET externo del canal N

• Rápidamente respuesta de 50 ns a la revocación actual

• corriente de la salida de la puerta del pico 2-A

• Abrazadera mínima de VDS para una salida más rápida

• Paquete: SOT-6 (SOT-23-6 fino)

  
  

2 usos

• Anillo o activo de redundante (N+1) fuentes de alimentación

El alto regulador lateral del FET del anillo o LM5050-1/-Q1 actúa conjuntamente con un MOSFET del externo como rectificador de diodo ideal cuando está conectado en serie con una fuente de energía. Este regulador del anillo o permite que los MOSFETs substituyan los rectificadores de diodo en las redes de distribución de poder que reducen así apagón y caídas de voltaje.

El regulador LM5050-1/-Q1 proporciona la impulsión de la puerta de la bomba de carga para que un MOSFET externo del canal N y un comparador rápido de la respuesta apaguen el FET cuando los flujos actuales en la dirección contraria. El LM5050-1/- Q1 puede conectar las fuentes de alimentación que se extienden a partir de 5 V con 75 V y puede soportar los transeúntes hasta 100 V.

Información del dispositivo