Reguladores de transferencia de IC de la gestión de la trayectoria del poder de LM34927MRX/NOPB

Reguladores de transferencia de IC de la gestión de la trayectoria del poder de LM34927MRX/NOPB

Características 1

• 7.5-V ancho a 100-V entró la gama

• Alto-lado integrado 600-mA

  e interruptores del Bajo-lado

• Ningún Schottky requerido

• Constant On-Time Control

• Ninguna remuneración del lazo requirió

• Respuesta transitoria ultrarrápida

• Casi Constant Operating Frequency

• Límite actual máximo inteligente

• Voltaje de salida ajustable a partir de 1,225 V

• Referencia de la reacción de la precisión el 2%

• Frecuencia ajustable a 1 megaciclo

• Cierre ajustable del Undervoltage (UVLO)

• Cierre remoto

• Cierre termal

• Paquetes:

  • – 8 perno WSON

  • – 8 perno TAN PowerPADTM

    
    

2 usos

• Fuente diagonal aislada de las telecomunicaciones

• Electrónica automotriz e industrial aislada

Descripción 3

El regulador LM34927 ofrece todas las funciones necesarias para ejecutar un regulador diagonal barato, eficiente, aislado. Este regulador de alto voltaje contiene el MOSFET del canal N dos 100-V cambia — un alto interruptor lateral del dólar y un interruptor síncrono del bajo-lado. El esquema de control constante del tiempo de funcionamiento (CHOZA) empleado en el dispositivo LM34927 no requiere ninguna remuneración del lazo y proporciona respuesta transitoria excelente. El regulador actúa con un tiempo de funcionamiento que sea inverso proporcional al voltaje de entrada. Esta característica permite que la frecuencia de funcionamiento siga siendo relativamente constante. Un límite actual máximo inteligente se ejecuta con el circuito integrado del sentido. Otras características incluyen un comparador programable del undervoltage de la entrada para inhibir la operación durante las condiciones de baja tensión. Las características de protección incluyen cierre termal y VCC el cierre del undervoltage (UVLO). El dispositivo LM34927 se ofrece en los paquetes plásticos WSON-8 y ASÍ QUE PowerPAD-8.

Información del dispositivo