Pantalla de seda discreta de los dispositivos de semiconductor del FET del canal N IPN70R360P7S SOT-223

Number modelo:IPN70R360P7S
Cantidad de orden mínima:>=2pcs
Condiciones de pago:LC, T/T, D/A, D/P, Western Union,
Capacidad de la fuente:99000 acres/acres por Day+pcs+2-7days
Plazo de expedición:2-3Days
Detalles de empaquetado:Digi-carrete de la cinta y de la cinta del corte del carrete (TR) (CT)
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Miembro activo
Hong kong China
Dirección: B5 plano 1/F., Manning Ind. Edificio, 116-118 cómo Ming Street, pinzas de Kwun, Kowloon, Hong Kong
Proveedor Último login veces: Dentro de 48 Horas
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Detalles del producto

Microprocesador a estrenar y original del FET del canal N de la pantalla de seda 70S360 de IPN70R360P7S SOT-223 del circuito integrado


DESCRIPCIÓN DE PRODUCTO


El número de parte IPN70R360P7S es fabricado por INFINEON y distribuido por Stjk. Como uno de los distribuidores principales de productos electrónicos, llevamos muchos componentes electrónicos de los fabricantes superiores del mundo.


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PROPIEDADES DEL PRODUCTO


Situación del producto
Activo
Tipo del FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Drene al voltaje de la fuente (Vdss)
700 V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C
12.5A (Tc)
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs
360mOhm @ 3A, 10V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @
3.5V @ 150µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs
nC 16,4 @ 10 V
Vgs (máximo)
±16V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds
517 PF @ 400 V
Característica del FET
-
Disipación de poder (máxima)
7.2W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Montaje del tipo
Soporte superficial
Paquete del dispositivo del proveedor
PG-SOT223
Paquete/caso
TO-261-4, TO-261AA
Número bajo del producto
IPN70R360

China Pantalla de seda discreta de los dispositivos de semiconductor del FET del canal N IPN70R360P7S SOT-223 supplier

Pantalla de seda discreta de los dispositivos de semiconductor del FET del canal N IPN70R360P7S SOT-223

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