Chip CI programable asincrónico IS61WV25616BLL-10TLI SRAM 4Mbit 10Ns paralelo 44-TSOP II

Number modelo:IS61WV25616BLL-10TLI
Cantidad de orden mínima:>=1pcs
Condiciones de pago:LC, T/T, D/A, D/P, Western Union,
Capacidad de la fuente:100000 acres/acres por Day+pcs+1-2days
Plazo de expedición:2-3Days
Detalles de empaquetado:Para garantizar mejor la seguridad de sus productos, se proporcionarán servicios de embalaje profesi
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Hong kong China
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Sistema programable en Chip Memory IC IS61WV25616BLL-10TLI SRAM - memoria asincrónica IC 4Mbit 10 paralelos ns 44-TSOP II

DESCRIPCIÓN DE PRODUCTO


El número de parte IS61WV25616BLL-10TLI es fabricado por ISSI, Integrated Silicon Solution Inc y distribuido por Stjk. Como uno de los distribuidores principales de productos electrónicos, llevamos muchos componentes electrónicos de los fabricantes superiores del mundo.


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PROPIEDADES DEL PRODUCTO

Situación del producto
Activo
Tipo de la memoria
Volátil
Formato de la memoria
SRAM
Tecnología
SRAM - Asincrónico
Tamaño de la memoria
4Mbit
Organización de la memoria
256K x 16
Interfaz de la memoria
Paralelo
Escriba la duración de ciclo - palabra, página
10ns
Tiempo de acceso
10 ns
Voltaje - fuente
2.4V ~ 3.6V
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 85°C (TA)
Montaje del tipo
Soporte superficial
Paquete/caso
44-TSOP (0,400", anchura de 10.16m m)
Paquete del dispositivo del proveedor
44-TSOP II
Número bajo del producto
IS61WV25616

China Chip CI programable asincrónico IS61WV25616BLL-10TLI SRAM 4Mbit 10Ns paralelo 44-TSOP II supplier

Chip CI programable asincrónico IS61WV25616BLL-10TLI SRAM 4Mbit 10Ns paralelo 44-TSOP II

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