Parada de campo del foso RGS80TS65HRC11 IGBT 650V 73A 272W a través del agujero TO-247N

Number modelo:RGS80TS65HRC11

Cantidad de orden mínima:50pcs

Capacidad de la fuente:1000000 piezas

Voltaje: ruptura del emisor del colector (máx.):650 V

Corriente - Colector (Ic) (Máx.):73 A

Actual - colector pulsado (Icm):120A

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Parada de campo del foso de RGS80TS65HRC11 IGBT 650 V 73 A 272 W a través del agujero TO-247N

Foso IGBTs automotriz de la parada de campo del semiconductor RGS de ROHM

El foso IGBTs automotriz de la parada de campo del semiconductor RGS de ROHM es AEC-Q101 IGBTs automotriz clasificado que es en 1200 las variantes disponibles V y 650V. Este IGBTs entrega la pérdida baja clase-principal de la conducción que contribuye a reducir el tamaño y a mejorar la eficacia de usos. Los RGS IGBTs utilizan tecnologías originales de la foso-puerta y de la fino-oblea. Estas tecnologías ayudan a alcanzar el voltaje de saturación bajo del colector-emisor (VCE (sentado)) con reducido el cambiar de pérdidas. Este IGBTs proporciona ahorros de la energía crecientes en una variedad de usos de alto voltaje y de gran intensidad.