Módulo del transistor de WG50N65DHWQ IGBT, foso IGBT 650V 91A 278W de la parada de campo

Number modelo:WG50N65DHWQ

Cantidad de orden mínima:50pcs

Capacidad de la fuente:1000000 piezas

Voltaje: ruptura del emisor del colector (máx.):650 V

Corriente - Colector (Ic) (Máx.):91 A

Actual - colector pulsado (Icm):200A

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Shenzhen Siyue Electronics Co., Ltd.

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Shenzhen China

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Parada de campo del foso de WG50N65DHWQ IGBT 650 V 91 A 278 W a través del agujero TO-247-3

Semiconductores WG50N65DHWQ IGBT de WeEn

Los semiconductores WG50N65DHWQ IGBT de WeEn son 650V/50A de alta velocidad IGBT con un diodo antiparalelo en un paquete TO247. Este IGBT ofrece de alta velocidad con pérdidas bajas de la transferencia y las características alisan el comportamiento que cambia que evita voltaje llega más allá y reducen el sistema EMI. El WG50N65DHWQ IGBT ofrece tecnología de la campo-parada de la puerta del foso y ofrece resistencia termal baja. Este IGBT viene en un paquete halógeno-libre, ofrece un final Pb-libre de la ventaja, y es RoHS obediente. Los usos típicos incluyen la corrección de factor de poder, convertidor de soldadura, inversor solar. inversor industrial, y UPS.

CARACTERÍSTICAS

De alta velocidad con pérdidas que cambian bajas
Diodo antiparalelo de la recuperación rápida y suave
V positivoCE (se sentó)coeficiente de temperatura
Diodo antiparalelo de la recuperación rápida y suave
Calificó según JEDEC y cumple el requisito de la inflamabilidad UL94V0
El comportamiento que cambia liso evita voltaje llega más allá y reduce del sistema EMI