Productos de semiconductor discretos de FGHL75T65LQDTL4 Fs4 IGBT Vcesat bajo 50V 75A TO2
Number modelo:FGHL75T65LQDTL4
Cantidad de orden mínima:50pcs
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máx.):650 V
Corriente - Colector (Ic) (Máx.):80A
Actual - colector pulsado (Icm):300 A
Vce (encendido) (máximo) @ Vge, Ic:1.35V @ 15V, 75A
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Shenzhen China
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Detalles del producto
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Detalles del producto
FGHL75T65LQDTL4 FS4 VCESAT BAJO IGBT 650V 75A TO2
| Cualidades de producto | |
| TIPO | DESCRIPCIÓN |
| Categoría | Productos de semiconductor discretos |
| Transistores - IGBTs - solos | |
| Mfr | onsemi |
| Serie | - |
| Paquete | Tubo |
| Situación del producto | Activo |
| Tipo de IGBT | Parada de campo del foso |
| Voltaje - avería del emisor del colector (máxima) | 650 V |
| Actual - colector (Ic) (máximo) | 80 A |
| Actual - colector pulsado (Icm) | 300 A |
| Vce (encendido) (máximo) @ Vge, Ic | 1.35V @ 15V, 75A |
| Poder - máximo | 469 W |
| Energía que cambia | 1.01mJ (encendido), 2.53mJ (apagado) |
| Tipo de la entrada | Estándar |
| Carga de la puerta | 779 nC |
| °C 25 de TD (con./desc.) @ | 40ns/548ns |
| Condición de prueba | 400V, 75A, 4.7Ohm, 15V |
| Tiempo de recuperación reversa (trr) | 87 ns |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montaje del tipo | A través del agujero |
| Paquete/caso | TO-247-4 |
| Paquete del dispositivo del proveedor | TO-247-4L |
Productos de semiconductor discretos de FGHL75T65LQDTL4 Fs4 IGBT Vcesat bajo 50V 75A TO2
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