Foso IGBT 650V 80A 375W de la parada de campo FGHL75T65MQDTL4 a través del agujero TO-247-4L
Number modelo:FGHL75T65MQDTL4
Cantidad de orden mínima:50pcs
Capacidad de la fuente:1000000 piezas
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máx.):650 V
Corriente - Colector (Ic) (Máx.):80A
Actual - colector pulsado (Icm):300 A
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Evaluación de proveedor
Shenzhen China
Dirección:
Sitio 3001-2, torre A, plaza del comercio mundial, camino de no. 9 Fuhong, distrito de Futian, Shenzhen
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Parada de campo del foso de FGHL75T65MQDTL4 IGBT 650 V 80 A 375 W a través del agujero TO-247-4L
foso IGBTs del onsemi FGHL75T65MQDTx
el foso IGBTs del onsemi FGHL75T65MQDTx es 4la mediados de-velocidad IGBTs de la generación del th tecnología-embaló con el diodo actual completamente clasificado. Los FGHL75T65MQDTx IGBTs actúan en la temperatura de empalme máxima 175°C, el colector 650V al voltaje del emisor, y la corriente de colector 75A. Este IGBTs ofrece el coeficiente de temperatura positivo para la operación paralela fácil, capacidad de gran intensidad, transferencia lisa y optimizada, y distribución apretada del parámetro. El FGHL75T65MQDT se construye en un paquete de TO247-3L y el FGHL75T65MQDTL4 IGBT se construye en un paquete de TO247-4L. Este IGBTs es ideal para los usos en inversores solares, UPS, el ESS, PFC, y convertidores.
CARACTERÍSTICAS
- temperatura de empalme máxima 175°C TJ
- Coeficiente de temperatura positivo para un funcionamiento fácil del paralelo
- Capacidad de gran intensidad
- Voltaje de saturación bajo:
- VCE(se sentó)= 1.15V (típico) @ yoC= 75A
- 100% de las piezas se prueba para ILM
- Transferencia lisa y optimizada
- Distribución apretada del parámetro
- RoHS obediente
USOS
- Inversores solares
- UPS y ESS
- PFC y convertidores
Foso IGBT 650V 80A 375W de la parada de campo FGHL75T65MQDTL4 a través del agujero TO-247-4L
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