Microprocesador de carga de la soldadura del inversor de la pila de los transistores de poder de IGBT NGTB40N120SWG

Brand Name:onsemi
Model Number:NGTB40N120SWG
Minimum Order Quantity:Negotiable
Delivery Time:Negotiable
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Price:Negotiable
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Dirección: ST MONGKOKKL DE REY COMM CRT 2-16 FAYUEN DE RM4,16/F HO
Proveedor Último login veces: Dentro de 16 Horas
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Gama de productos
  •  Microprocesador de carga de la soldadura del inversor de la pila de los transistores NGTB40N120SWG del módulo de poder de Igbt

Características del App

  •  TJmax = 175°C • Diodo reverso rápido suave de la recuperación
  •  Optimizado para la transferencia de alta velocidad
  •  10 nosotros cortocircuitar capacidad
  • Éstos son dispositivos de Pb−Free
Datos básicos
Cualidad de productoValor del atributo
onsemi
Categoría de producto:Transistores de IGBT
RoHS:Detalles
Si
TO-247-3
A través del agujero
Solo
1,2 kilovoltios
2 V
20 V
80 A
535 W
- 55 C
+ 175 C
Tubo
Marca:onsemi
Corriente de colector continua Ic máxima:40 A
Corriente de la salida del Puerta-emisor:nA 200
Tipo de producto:Transistores de IGBT
30
Subcategoría:IGBTs
Peso de unidad:1,340411 onzas
FICHA TÉCNICA DE LA TRANSFERENCIA DIRECTA
Uso
  •  Ampliamente utilizado en la etapa, concierto, comunicación de la red, smartphones hace tabletas la dongle de las cámaras de los adaptadores de los cuadernos de los ordenadores portátiles
Proceso de la orden

 

Añada las piezas a la forma del RFQSometa el RFQContestamos en el plazo de 24 horas
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Chip Diagram

China Microprocesador de carga de la soldadura del inversor de la pila de los transistores de poder de IGBT NGTB40N120SWG supplier

Microprocesador de carga de la soldadura del inversor de la pila de los transistores de poder de IGBT NGTB40N120SWG

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