Transistores IGBTs del módulo de poder de NGTB03N60R2DT4G IGBT solo
Número de parte:NGTB03N60R2DT4G
Fabricante:EN el semiconductor
Descripción:IGBT 9A 600V DPAK
Categoría:Transistores - IGBTs - solos
Familia:Transistores - IGBTs - solos
Lugar del origen:Original
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Dirección:
RM4,16/F HO KING COMM CRT 2-16 FAYUEN ST MONGKOKKL
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Especificaciones de NGTB03N60R2DT4G
| Situación de la parte | Activo |
|---|---|
| Tipo de IGBT | - |
| Voltaje - avería del emisor del colector (máxima) | 600V |
| Actual - colector (Ic) (máximo) | 9A |
| Actual - colector pulsado (Icm) | 12A |
| Vce (encendido) (máximo) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 3A |
| Poder - máximo | 49W |
| Energía que cambia | 50µJ (encendido), 27µJ (apagado) |
| Tipo entrado | Estándar |
| Carga de la puerta | 17nC |
| TD (con./desc.) @ 25°C | 27ns/59ns |
| Condición de prueba | 300V, 3A, 30 ohmios, 15V |
| Tiempo de recuperación reversa (trr) | 65ns |
| Temperatura de funcionamiento | 175°C (TJ) |
| Montaje del tipo | Soporte superficial |
| Paquete/caso | TO-252-3, DPak (2 ventajas + etiquetas), SC-63 |
| Paquete del dispositivo del proveedor | DPAK |
| Envío | UPS/EMS/DHL/FedEx expreso. |
| Condición | Nueva fábrica original. |
Empaquetado de NGTB03N60R2DT4G
Detección
Transistores IGBTs del módulo de poder de NGTB03N60R2DT4G IGBT solo
Carro de la investigación
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