Semiconductores discretos IRFS3207ZTRRPBF del Mosfet del transistor de efecto de campo del canal N
Number modelo:IRFS3207ZTRRPBF
Cantidad de orden mínima:Negociable
Condiciones de pago:T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente:Cantidad disponible 41128 Piezas
Plazo de expedición:Negociable
Modelo del producto:IRFS3207ZTRRPBF
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Dirección:
RM4,16/F HO KING COMM CRT 2-16 FAYUEN ST MONGKOKKL
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Dentro de 16 Horas
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Detalles del producto
Canal N discreto de los semiconductores IRFS3207ZTRRPBF del transistor de efecto de campo de los transistores del MOSFET
Gama de productos
- Canal N discreto de los semiconductores IRFS3207ZTRRPBF del transistor de efecto de campo de los transistores del MOSFET
- MOSFET MOSFT 75V 170A 4.1mOhm 120nC
Características del App
- Características
- Rectificación síncrona de la eficacia alta en SMPS
- Sistema de alimentación ininterrumpida
- Transferencia de alta velocidad del poder
- Circuitos difícilmente cambiados y de alta frecuencia
- Ventajas
- Puerta mejorada, avalancha y aspereza dinámica de dv/dt
- Capacitancia completamente caracterizada y avalancha SOA
- Diodo aumentado dV/dt del cuerpo y capacidad de dI/dt
- Sin plomo
- RoHS obediente, Halógeno-libre
Datos básicos
| Cualidad de producto | Valor del atributo |
|---|---|
| Infineon | |
| Categoría de producto: | MOSFET |
| RoHS: | Detalles |
| Si | |
| SMD/SMT | |
| TO-263-3 | |
| Canal N | |
| 1 canal | |
| 75 V | |
| 170 A | |
| 4,1 mOhms | |
| - 20 V, + 20 V | |
| 4 V | |
| 170 nC | |
| - 55 C | |
| + 175 C | |
| 300 W | |
| Aumento | |
| Carrete | |
| Corte la cinta | |
| Carrete | |
| Marca: | Infineon Technologies |
| Configuración: | Solo |
| Tiempo de caída: | 68 ns |
| Transconductancia delantera - minuto: | 280 S |
| Altura: | 4,4 milímetros |
| Longitud: | 10 milímetros |
| Tipo de producto: | MOSFET |
| Tiempo de subida: | 68 ns |
| 800 | |
| Subcategoría: | MOSFETs |
| Tipo del transistor: | 1 canal N |
| Anchura: | 9,25 milímetros |
| Parte # alias: | IRFS3207ZTRRPBF SP001565050 |
| Peso de unidad: | 0,139332 onzas |
FICHA TÉCNICA DE LA TRANSFERENCIA DIRECTA
Uso
- Motores de BLDC
- Motores síncronos trifásicos del imán permanente
- Inversores
- Medios conductores del puente
- Sistemas de control robóticos
- Dispositivos
- Infraestructura de la rejilla
- EPOS • Theate casero
- Sistemas eléctricos distribuidos
- Comunicaciones/infraestructura del establecimiento de una red
- fuentes de alimentación ndustrial • Energía solar
- Impulsión del motor
Proceso de la orden
| Añada las piezas a la forma del RFQ | Someta el RFQ | Contestamos en el plazo de 24 horas |
| Usted confirma orden | Pago | Nave hacia fuera su orden |
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Chip Diagram
Semiconductores discretos IRFS3207ZTRRPBF del Mosfet del transistor de efecto de campo del canal N
Carro de la investigación
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