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Canal N STB24N60DM2 del transistor del Mosfet del poder de los semiconductores

Number modelo:STB24N60DM2

Cantidad de orden mínima:Negociable

Condiciones de pago:T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram

Capacidad de la fuente:Cantidad disponible 41128 Piezas

Plazo de expedición:Negociable

Modelo del producto:STB24N60DM2

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KZ TECHNOLOGY (HONGKONG) LIMITED

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Dirección: RM4,16/F HO KING COMM CRT 2-16 FAYUEN ST MONGKOKKL

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Los semiconductores STB24N60DM2 accionan el transistor de efecto de campo de los transistores del Mosfet discreto Canal N
Canal N 600 V, 0,13 tipos de Ω., 21 MOSFETs de un poder de MDmesh™ DM2 en el ² PAK de D, paquetes TO-220 y TO-247

Características del App

Estos MOSFETs de alto voltaje del poder del canal N son parte de la serie rápida del diodo de la recuperación de MDmesh™ DM2. Ofrecen la carga muy baja de la recuperación (Qrr) y la hora (trr) combinada con el RDS bajo (encendido), haciéndolas convenientes para los convertidores más exigentes y el ideal de la eficacia alta para los convertidores de las topologías del puente y del defasaje de ZVS.

Datos básicos

Cualidad de producto	Valor del atributo
Fabricante:	STMicroelectronics
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:	Detalles
Tecnología:	Si
Montaje de estilo:	SMD/SMT
Paquete/caso:	TO-263-3
Polaridad del transistor:	Canal N
Número de canales:	1 canal
Vds - voltaje de avería de la Dren-fuente:	600 V
Identificación - corriente continua del dren:	18 A
Rds en - resistencia de la Dren-fuente:	200 mOhms
Vgs - voltaje de la Puerta-fuente:	- 25 V, + 25 V
Th de Vgs - voltaje del umbral de la Puerta-fuente:	4 V
Qg - carga de la puerta:	29 nC
Temperatura de funcionamiento mínima:	- 55 C
Temperatura de funcionamiento máximo:	+ 150 C
Paladio - disipación de poder:	150 W
Modo del canal:	Aumento
Marca registrada:	FDmesh
Empaquetado:	Carrete
Empaquetado:	Corte la cinta
Empaquetado:	Carrete
Marca:	STMicroelectronics
Configuración:	Solo
Tiempo de caída:	15 ns
Tipo de producto:	MOSFET
Tiempo de subida:	8,7 ns
Serie:	STB24N60DM2
	1000
Subcategoría:	MOSFETs
Tiempo de retraso típico de la vuelta-Apagado:	60 ns
Tiempo de retraso de abertura típico:	15 ns
Peso de unidad:	0,139332 onzas

FICHA TÉCNICA DE LA TRANSFERENCIA DIRECTA

Uso

Proceso de la orden

Añada las piezas a la forma del RFQ	Someta el RFQ	Contestamos en el plazo de 24 horas
Usted confirma orden	Pago	Nave hacia fuera su orden

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