BLDC viaja en automóvili Mosfet IPB017N10N5 Infineon del poder del transistor de efecto de campo

Number modelo:IPB017N10N5
Cantidad de orden mínima:Negociable
Condiciones de pago:T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente:Cantidad disponible 41128 Piezas
Plazo de expedición:Negociable
Modelo del producto:STB24N60DM2
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Miembro activo
Dirección: RM4,16/F HO KING COMM CRT 2-16 FAYUEN ST MONGKOKKL
Proveedor Último login veces: Dentro de 16 Horas
Detalles del producto Perfil de la compañía
Detalles del producto
Gama de productos
 
  • Los semiconductores del transistor de efecto de campo de IPB017N10N5 Infineon accionan los transistores del Mosfet
  •  
  • Canal N 600 V, tipo 18 del MOSFET de 0,175 ohmios Un MOSFET del poder de MDmesh DM2 en paquete de D2PAK
Características del App
  •  Ideal para los usos del caliente-intercambio y del e-fusible
  •  En-resistencia baja misma RDS (encendido)
  •  Área de funcionamiento seguro amplia SOA
  •  Canal N, nivel normal
  •  la avalancha 100% probó
  •  Pb-freeplating; RoHS obediente
  •  Calificado según JEDEC1para los usos de la blanco
  •  Halógeno-libre según IEC61249-2-21
Datos básicos
Cualidad de productoValor del atributo
Infineon
Categoría de producto:MOSFET
RoHS:Detalles
Si
SMD/SMT
TO-263-7
Canal N
1 canal
100 V
180 A
1,5 mOhms
- 20 V, + 20 V
2,2 V
210 nC
- 55 C
+ 175 C
375 W
Aumento
OptiMOS
Carrete
Corte la cinta
MouseReel
Marca:Infineon Technologies
Configuración:Solo
Tiempo de caída:27 ns
Transconductancia delantera - minuto:132 S
Tipo de producto:MOSFET
Tiempo de subida:23 ns
Serie:OptiMOS 5
Cantidad del paquete de la fábrica1000
Subcategoría:MOSFETs
Tipo del transistor:1 canal N
Tiempo de retraso típico de la vuelta-Apagado:80 ns
Tiempo de retraso de abertura típico:33 ns
Parte # alias:IPB017N10N5LF SP001503850
Peso de unidad:0,056438 onzas
FICHA TÉCNICA DE LA TRANSFERENCIA DIRECTA
Uso
 
  • Usos que cambian
  • Motores de BLDC
  • Motores síncronos trifásicos del imán permanente
  • Inversores
  • Medios conductores del puente
  • Sistemas de control robóticos
  • Dispositivos
  •  Infraestructura de la rejilla
  •  EPOS • Theate casero
  •  Sistemas eléctricos distribuidos
  •  Comunicaciones/infraestructura del establecimiento de una red

 

Proceso de la orden

 

Añada las piezas a la forma del RFQSometa el RFQContestamos en el plazo de 24 horas
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Circuitos integrados Ics
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SSD2848K1SSD2828QN4SSD2805CG39RSSD1963G41A4988SETTR-T
MIC28515T-E/PHAMIC28514T-E/PHAMIC28513-1YFL-TRMIC28516T-E/PHAMIC28510YJL-TR
TPS54160DGQRTPS54160ADRCRTPS54140ADRCRTPS5410MDREPTPS54336ADDAR
LM2596SXADJLM2596SX-3.3LM2596SX-5.0LM2596SX-12DRV8312DDWR
Microcontroladores-MCU
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STM32F042K6U7STM32F042G4U6STM32F042F4P6STM32F042C6U7STM32F042K6T7
Chip Diagram

 

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BLDC viaja en automóvili Mosfet IPB017N10N5 Infineon del poder del transistor de efecto de campo

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