Microprocesador 75V 170A del Mosfet del transistor de efecto de campo del poder de IRFS3207Z para la protección de circuito

Number modelo:IRFS3207ZTRRPBF
Cantidad de orden mínima:Negociable
Condiciones de pago:T/T, D/P, D/A, L/C, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente:Cantidad disponible 300000 pedazos
Plazo de expedición:Puede enviar inmediatamente
Modelo del producto:IRFS3207ZTRRPBF
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Dirección: RM4,16/F HO KING COMM CRT 2-16 FAYUEN ST MONGKOKKL
Proveedor Último login veces: Dentro de 16 Horas
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Detalles del producto

Transistor de efecto de campo del Mosfet del poder de IRFS3207Z Chip Circuit Protection 75V 170A

Descripción
  • Solo MOSFET del poder del canal N HEXFET del poder MOSFT 75V 170A 4.1mOhm en un paquete de D2-Pak
Especificaciones
Cualidad de productoValor del atributo
Infineon
Categoría de producto:MOSFET
RoHS:Detalles
Si
SMD/SMT
TO-263-3
Canal N
1 canal
75 V
170 A
4,1 mOhms
- 20 V, + 20 V
4 V
170 nC
- 55 C
+ 175 C
300 W
Aumento
Carrete
Corte la cinta
MouseReel
Marca:Infineon Technologies
Configuración:Solo
Tiempo de caída:68 ns
Transconductancia delantera - minuto:280 S
Altura:4,4 milímetros
Longitud:10 milímetros
Tipo de producto:MOSFET
Tiempo de subida:68 ns
800
Subcategoría:MOSFETs
Tipo del transistor:1 canal N
Anchura:9,25 milímetros
Parte # alias:IRFS3207ZTRRPBF SP001565050
Peso de unidad:0,139332 onzas
Uso
  • Rectificación síncrona de la eficacia alta en SMPS
  • Sistema de alimentación ininterrumpida
  • Transferencia de alta velocidad del poder
  • Circuitos difícilmente cambiados y de alta frecuencia
Ventajas
  •  Puerta mejorada, avalancha y aspereza dinámica de dv/dt
  •  Capacitancia completamente caracterizada y avalancha SOA
  •  Diodo aumentado dV/dt del cuerpo y capacidad de dI/dt
  •  Sin plomo
  •  RoHS obediente, Halógeno-libre
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AOZ1016AI

 
AOZ1050AI
AOZ1073AIAOZ1046AIAOZ1036PIAOZ1050PIAOZ1280CIAOZ1284I
Chip Diagram

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Microprocesador 75V 170A del Mosfet del transistor de efecto de campo del poder de IRFS3207Z para la protección de circuito

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