Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de BLF6G27-10GHJ
Número de parte:BLF6G27-10GHJ
Fabricante:Ampleon los USA Inc.
Descripción:FET LDMOS 65V 19DB SOT975C del RF
Categoría:Transistores - FETs, MOSFETs - RF
Familia:Transistores - FETs, MOSFETs - RF
Lugar del origen:Original
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RM4,16/F HO KING COMM CRT 2-16 FAYUEN ST MONGKOKKL
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Detalles del producto
Perfil de la compañía
Detalles del producto
Especificaciones de BLF6G27-10GHJ
| Situación de la parte | Compra de la última vez |
|---|---|
| Tipo del transistor | LDMOS |
| Frecuencia | 2.5GHz ~ 2.7GHz |
| Aumento | 19dB |
| Voltaje - prueba | 28V |
| Grado actual | 3.5A |
| Figura de ruido | - |
| Actual - prueba | 130mA |
| Poder - salida | 2W |
| Voltaje - clasificado | 65V |
| Paquete/caso | SOT-975C |
| Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-975C |
| Envío | UPS/EMS/DHL/FedEx expreso. |
| Condición | Nueva fábrica original. |
Empaquetado de BLF6G27-10GHJ
Detección
Microprocesador del RF de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de BLF6G27-10GHJ
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