Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de NTHD3100CT1G

Número de parte:NTHD3100CT1G
Fabricante:EN el semiconductor
Descripción:MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET
Categoría:Transistores - FETs, MOSFETs - órdenes
Familia:Transistores - FETs, MOSFETs - órdenes
Lugar del origen:Original
Contacta

Add to Cart

Miembro activo
Dirección: ST MONGKOKKL DE REY COMM CRT 2-16 FAYUEN DE RM4,16/F HO
Proveedor Último login veces: Dentro de 16 Horas
Detalles del producto Perfil de la compañía
Detalles del producto

Especificaciones de NTHD3100CT1G

Situación de la parteActivo
Tipo del FETN y P-canal
Característica del FETPuerta del nivel de la lógica
Drene al voltaje de la fuente (Vdss)20V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C2.9A, 3.2A
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs80 mOhm @ 2.9A, 4.5V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @1.2V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs2.3nC @ 4.5V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds165pF @ 10V
Poder - máximo1.1W
Temperatura de funcionamiento-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaje del tipoSoporte superficial
Paquete/caso8-SMD, ventaja plana
Paquete del dispositivo del proveedorChipFET™
EnvíoUPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
CondiciónNueva fábrica original.

Empaquetado de NTHD3100CT1G

Detección

China Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de NTHD3100CT1G supplier

Órdenes de los MOSFETs de los FETs de los transistores del transistor de efecto de campo de NTHD3100CT1G

Carro de la investigación 0