Inductor de la base del metal VLS252012HBX-1R0M-1, Chip Inductor Wirewound

Lugar del origen:Original
Cantidad de orden mínima:Negociable
Plazo de expedición:Negociable
Condiciones de pago:T/T, L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacidad de la fuente:100000
Número de parte:VLS252012HBX-1R0M-1
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Dirección: ST MONGKOKKL DE REY COMM CRT 2-16 FAYUEN DE RM4,16/F HO
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Detalles del producto

Bobinas de obstrucciones pasivas de los inductores de los componentes del inductor del poder de VLS252012HBX-1R0M-1 SMD

Especificaciones VLS252012HBX-1R0M-1

Situación de la parteActivo
TipoWirewound
Material - baseMetal
Inductancia1µH
Toleranciael ±20%
Grado actual3.4A
Actual - saturación3A
El protegerProtegido
Resistencia de DC (DCR)mOhm 56 máximo
Q @ Freq-
Frecuencia - uno mismo resonante-
Grados-
Temperatura de funcionamiento-40°C ~ 105°C
Frecuencia - prueba1MHz
Montaje del tipoSoporte superficial
Paquete/caso1008 (2520 métricos)
Paquete del dispositivo del proveedor1008 (2520 métricos)
Tamaño/dimensión0,098" L x 0,079" W (2.50m m x 2.00m m)
Altura - asentada (máximo)0,047" (1.20m m)
EnvíoUPS/EMS/DHL/FedEx expreso.
CondiciónNueva fábrica original.
 

Empaquetado VLS252012HBX-1R0M-1

Detección

China Inductor de la base del metal VLS252012HBX-1R0M-1, Chip Inductor Wirewound supplier

Inductor de la base del metal VLS252012HBX-1R0M-1, Chip Inductor Wirewound

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