Detalles del producto
ROSH APROBÓ LA GESTIÓN IC UCC27211DRMT TEXAS INSTRUMENTS PMIC
DEL PODER
| Datesheet: | Contacto para los detalles | Situación sin plomo: | Ventaja FreePB, sin plomo/RoHS |
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| Rosh: | Sí | Maneras de envío: | DHL FEDEX UPS el ccsme TNT, la OFICINA DE CORREOS de
DHL/FEDEX/EMS/CHINA Y ASÍ SUCESIVAMENTE, poste de DHLUPSFedexEMSHK |
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| D/c: | Originales | Tipo: | Gestión ICs del poder |
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| Alta luz: | Gestión ICs del poder de UCC27211DRMT,Gestión ICs del poder de ROSH,Texas Instruments PMIC |
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Gestión ICs Texas Instruments /TI UCC27211DRMT del poder
| Módulo de ECAD | Símbolo, huella y modelo 3D del PWB |
| Halógeno libre | Obediente |
| EOL Date estimado | 2031 |
Piezas alternativas (Referencia recíproca) | NCP5106BDR2G; NCP5106ADR2G; MAX5063AASA+T; MAX5063CASA+; |
| ECCN | EAR99 |
| Fecha de introducción | 1 de octubre de 2011 |
| Apellido | UCC27211 |
| Situación de la oferta y de la demanda | Limitado |
| Amenaza falsa en el mercado libre | los 40 PCT. |
| Renombre | Medio |
| Número de parte de la fuente del triunfo | 798690-UCC27211DRMT |
| Montaje | SMD |
| Tiempo de la subida/caída (tipo) | 7.2ns, 5.5ns |
| Gama de temperaturas de funcionamiento | -40°C ~ 140°C (TJ) |
| Paquete | 8-VDFN expuso el cojín |
| Voltaje de la lógica - VIL, VIH | 1.3V, 2.7V |
| Voltaje de fuente de funcionamiento | 8 V ~ 17 V |
| Fabricante Package | 8-VSON (4x4) |
| Alto voltaje lateral - máximo (tirante) | 120V |
| Actual - salida máxima (fuente, fregadero) | 4A, 4A |
| Tipo de canal | Independiente |
| Empaquetado | Paquete del carrete |
| Fabricante | Texas Instruments |
| Categorías | Circuitos integrados (ICs) |
| Tipo de la puerta | MOSFET del canal N |
| Número de conductores | 2 |
| Configuración conducida | Semipuente |
- Conduce dos MOSFETs del canal N en Alto-lado
y configuración del Bajo-lado con la independiente
Entradas - Voltaje máximo 120-V DC de la bota
- 4-A fregadero, corrientes de salida de la fuente 4-A
- resistencia del Pullup 0.9-Ω y de la desconexión
- Los pernos entrados pueden tolerar – 10 V a 20 V y son
Independiente de la gama del voltaje de fuente - TTL o versiones entradas compatibles Pseudo-Cmos
- 8-V al rango de operación de 17-V VDD, (absoluto 20-V
Máximo) - subida 7.2-ns y tiempo de caída de 5,5 ns con 1000-pF
Carga - Tiempos de retraso rápidos de propagación (18 ns típicos)
- el hacer juego del retraso 2-ns
- Cierre simétrico del Undervoltage para el Alto-lado
y conductor del Bajo-lado - Todo el estándar industrial empaqueta disponible (SOIC-8,
PowerPAD™ SOIC-8, 4 milímetros de × 4 milímetro SON-8
y 4 milímetros de × 4 milímetro SON-10) - De 40 a 140 °C especificado
Los conductores UCC27210 y UCC27211 se basan en conductores del
MOSFET popular UCC27200 y UCC27201, pero ofrecen varias importantes
mejoras en el rendimiento. La salida máxima levanta y la corriente
del tirón-abajo se ha aumentado a la fuente 4-A y al fregadero 4-A,
y levanta y la resistencia del tirón-abajo se ha reducido a 0,9 Ω,
de tal modo permitiendo conducir los MOSFETs del poder grande con
pérdidas que cambiaban minimizadas durante la transición a través
de Miller Plateau del MOSFET. La estructura de la entrada puede
ahora manejar directamente – 10 VDC, que aumenta robustez y también
permite el interfaz directo a los transformadores de la
puerta-impulsión sin usar los diodos de la rectificación. Las
entradas son también independiente del voltaje de fuente y tienen
un grado máximo de 20-V.
El nodo que cambia (perno del HS) del UCC2721x puede dirigir – el
máximo de 18 V que permite que el canal del alto-lado sea protegido
contra voltajes negativos inherentes causó inductancia parásita y
capacitancia perdida. Los UCC27210 (entradas Pseudo-Cmos) y
UCC27211 (entradas de TTL) han aumentado histéresis permitiendo
para el interfaz a los reguladores análogos o digitales de PWM con
inmunidad de ruido aumentada.
Los conductores del bajo-lado y de la puerta del alto-lado se
controlan y se hacen juego independientemente a 2 ns entre el
turnon y la salida de uno a.
Un en-microprocesador 120-V valoró el diodo del tirante elimina los
diodos discretos externos. El cierre del Undervoltage se
proporciona para el alto-lado y los conductores del bajo-lado que
proporcionan comportamiento simétrico del turnon y de la salida y
que fuerzan las salidas bajas si el voltaje de la impulsión está
debajo del umbral especificado.
Ambos dispositivos se ofrecen en el perno 8 SOIC (d), PowerPAD
SOIC-8 (DDA), 4 paquetes milímetro de × 4 milímetro SON-8 (DRM) y
SON-10 (DPR).
Perfil de la compañía
Shenzhen Huahao Gaosheng Technology Co., Ltd es uno de los
principales distribuidores de componentes electrónicos del
mundo.Nos centramos en NXP, TI, ST, Microchip, ADI, Infineon,
Onsemi, Intel, Micron, etc.Con nuestro propio inventario en Hong
Kong y Shenzhen..
Con la mayoría de los empleados con 10 años de experiencia en la
industria de componentes electrónicos, tenemos profundas relaciones
de cooperación con miles de fabricantes y agentes de marcas.
Podemos proporcionar a los clientes en varios campos, incluyendo:
compras al contado, comparación de listas de materiales, compras en
lotes pequeños, desde productos electrónicos estándar listos para
usar hasta soluciones personalizadas completas, deseamos que
nuestros clientes disfruten de una experiencia de compra integral.
Además, podemos proporcionar una inspección de control de calidad
para sus accesorios IC, si es necesario, contáctenos 。