Complemento bajo PBSS4160T del transistor de poder del Mosfet de NPN Vcesat PNP

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Complemento bajo PBSS4160T del transistor de poder del Mosfet de NPN Vcesat PNP

Number modelo:PBSS4160T, 215

Lugar del origen:Fabricante original

Cantidad de orden mínima:Cantidad de orden mínima: 10 PCS

Condiciones de pago:T/T por adelantado, Western Union, Xtransfer

Capacidad de la fuente:1000

Plazo de expedición:Dentro de 3days

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Tecnología Co., Ltd de Shenzhen Huahao Gaosheng

Miembro activo

Shenzhen China

Dirección: 2A2003, edificio 2, jardín de Baohuju, avenida de 200 Huaqing, comunidad de Qinghu, calle de Longhua, distrito de Longhua, Shenzhen

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COMPLEMENTO BAJO PBSS4160T DEL TRANSISTOR DE PODER DEL MOSFET DE NPN VCESAT PNP

Las mercancías condicionan:	A estrenar	Situación de la parte:	Activo
Sin plomo/Rohs:	Denuncia	Función:	NPN
Montaje del tipo:	Soporte superficial	Paquete:	SOT23
Alta luz:	transistor del mosfet del canal N , transistor del canal N

Transistor bajo de PBSS4160T NPN VCEsat en SOT23 un complemento plástico del paquete PNP a PBSS5160T

CARACTERÍSTICAS
• Voltaje de saturación bajo del colector-emisor VCEsat
• Alta capacidad IC e ICM de la corriente de colector
• La eficacia alta, reduce la generación de calor
• Reduce el área del tablero del circuito impreso requerida
• Reemplazo rentable para el transistor de poder medio BCP55 y BCX55.

USOS
• Segmentos importantes del uso:
– Poder automotriz de 42 V
– Infraestructura de las telecomunicaciones
– Industrial.
• Gestión del poder:
– Conversión de DC-a-DC
– Transferencia de línea de suministro.
• Conductor periférico
– Conductor en usos bajos del voltaje de fuente (e.g lámparas y LED)
– Conductor de la carga inductiva (e.g retransmisiones, zumbadores y motores).

Fabricante	Nexperia los USA Inc.
Serie	-
Empaquetado	Cinta y carrete (TR)
Situación de la parte	Activo
Tipo del transistor	NPN
Actual - colector (Ic) (máximo)	1A
Voltaje - avería del emisor del colector (máxima)	60V
Saturación de Vce (máxima) @ Ib, Ic	250mV @ 100mA, 1A
Actual - atajo del colector (máximo)	100nA
Aumento actual de DC (hFE) (minuto) @ Ic, Vce	200 @ 500mA, 5V
Poder - máximo	400mW
Frecuencia - transición	220MHz
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Montaje del tipo	Soporte superficial
Paquete/caso	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-236AB (SOT23)
Número de parte bajo	PBSS4160

Lista de otros componentes electrónicos en existencia
NÚMERO DE PARTE	MFG/BRAND	NÚMERO DE PARTE	MFG/BRAND
ISP1104W		MPC860DECZQ50D4	FRRESCALE
IRLR2908PBF	IRF	MAX993ESD+T	MÁXIMA
A64	ST	MAX9120EXK+T	MÁXIMA
TDA4665		CY7C1360B-166AJXC	CYPRESS
RT9231	RICHTEK	S29GL01GP11FFIR10	SPANSION
PW328-30L	PIXELWO	TPS25200DRVR	TI
PCA9543AD		NQ84010TNB QL85ES	INTEL
MT18KDF1G72AZ-1G6P1	MICRÓN	YZ98223R02	TDK
LT1110CS8	LT	VLP8040T-680M	TDK
LSI53C1030CO	LSILOGIC	SPHE8202R	SUNPLUS
PKM2510EPIHSLA	ERICSSON	IRLU024NPBF	IR
WJLXT384E	CORTINA	ICS307M-02ILFT	ICS
ST4G3235BJR	STM	BD13716S	FAIRCHILD
LP3964EMPX-ADJ/NOPB	TI	BCX55-16E6327	INFINEON
ADG451BR	ADI	TLE42994E	INFINEON
NTUD3169CZT5G	EN	NJM2283M (TE2)	JRC
TG83-1505NUTR	HALO	BSS138N E6327	INFINEON
RC2010JK-07820RL	YAGEO	AD5314ARMZ-REEL7	ADI
CD4572BE	TI	1632-32.76MHZ	NDK
74LVQ00TTR	STM	SBC560	LITEON