Solo transistor de poder de alto voltaje del Mosfet DC SIHB22N60E-E3 ROHS

China categorías

Casa Productos proveedores

Español

Casa /Productos /

Number modelo:SIHB22N60E-E3

Lugar del origen:Fabricante original

Cantidad de orden mínima:Cantidad de orden mínima: 10 PCS

Condiciones de pago:T/T por adelantado, Western Union, Xtransfer

Capacidad de la fuente:1000

Plazo de expedición:Dentro de 3days

Contacta

Add to Cart

Shenzhen Huahao Gaosheng Technology Co., Ltd

Miembro activo

Shenzhen China

Dirección: 2A2003, edificio 2, jardín de Baohuju, avenida de 200 Huaqing, comunidad de Qinghu, calle de Longhua, distrito de Longhua, Shenzhen

Proveedor Último login veces: Dentro de 1 Horas

Ver detalles de contacto

Detalles del producto Perfil de la compañía

Detalles del producto

SOLO TRANSISTOR de PODER DE ALTO VOLTAJE del MOSFET SIHB22N60E - PAQUETE D2PAK de E3 600V 21A

Tipo del FET:	Canal N	Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Paquete:	TO263-3 D2PAK
Alta luz:	transistor del mosfet del canal N , transistor del canal N

Tipo del FET:

Canal N

Temperatura de funcionamiento:

-55°C ~ 150°C (TJ)

Paquete:

TO263-3 D2PAK

Alta luz:

transistor del mosfet del canal N

Solo transistor de poder de alto voltaje del Mosfet SIHB22N60E - paquete D2PAK de E3 600V 21A

Fabricante	Vishay Siliconix
Serie	-
Empaquetado	Tubo
Situación de la parte	Activo
Tipo del FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Drene al voltaje de la fuente (Vdss)	600V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C	21A (Tc)
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs	180 mOhm @ 11A, 10V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @	4V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs	86nC @ 10V
Vgs (máximo)	±30V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds	1920pF @ 100V
Característica del FET	-
Disipación de poder (máxima)	227W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaje del tipo	Soporte superficial
Paquete del dispositivo del proveedor	D2PAK
Paquete/caso	TO-263-3, ² Pak (2 ventajas + etiquetas) de D, TO-263AB

Etiquetas de productos:

mosfet de alta potencia Mosfet de potencia estándar Mosfet de alta potencia

Carro de la investigación 0

China Hot Products: A | B | C | D | E | F | G | H | I | J | K | L | M | N | O | P | Q | R | S | T | U | V | W | X | Y | Z | 0~9