Solo transistor de poder de alto voltaje del Mosfet DC SIHB22N60E-E3 ROHS

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Number modelo:SIHB22N60E-E3

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Tecnología Co., Ltd de Shenzhen Huahao Gaosheng

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SOLO TRANSISTOR de PODER DE ALTO VOLTAJE del MOSFET SIHB22N60E - PAQUETE D2PAK de E3 600V 21A

Tipo del FET:	Canal N	Temperatura de funcionamiento:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Paquete:	TO263-3 D2PAK
Alta luz:	transistor del mosfet del canal N , transistor del canal N

Tipo del FET:

Canal N

Temperatura de funcionamiento:

-55°C ~ 150°C (TJ)

Paquete:

TO263-3 D2PAK

Alta luz:

transistor del mosfet del canal N

Solo transistor de poder de alto voltaje del Mosfet SIHB22N60E - paquete D2PAK de E3 600V 21A

Fabricante	Vishay Siliconix
Serie	-
Empaquetado	Tubo
Situación de la parte	Activo
Tipo del FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Drene al voltaje de la fuente (Vdss)	600V
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C	21A (Tc)
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs	180 mOhm @ 11A, 10V
Identificación de Vgs (th) (máximo) @	4V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs	86nC @ 10V
Vgs (máximo)	±30V
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds	1920pF @ 100V
Característica del FET	-
Disipación de poder (máxima)	227W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Montaje del tipo	Soporte superficial
Paquete del dispositivo del proveedor	D2PAK
Paquete/caso	TO-263-3, ² Pak (2 ventajas + etiquetas) de D, TO-263AB

Etiquetas de productos:

mosfet de alta potencia Mosfet de potencia estándar Mosfet de alta potencia

Carro de la investigación 0

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