Memoria Flash IC de SSF integró 2 Mbit Mbit/4 X8 SST29SF040-55-4C-WH ROHS

Number modelo:SST29SF040-55-4C-WH
Lugar del origen:Fábrica original
Cantidad de orden mínima:Cantidad de orden mínima: 1
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Capacidad de la fuente:500
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Detalles del producto

SST29SF040-55-4C-WH - TECNOLOGÍA DE ALMACENAMIENTO DEL SILICIO, INC. - 2/4 FLASH DE MBIT MBIT (X8) SMALL-SECTOR

 

Detalle rápido:

 

Flash Mbit/4 del Pequeño-sector de 2 Mbit (x8)

 

 

Descripción:

 

Los SST29SF020/040 y los SST29VF020/040 son el flash del Pequeño-sector de 256K x8/de 512K x8 Cmos (SSF) manufacturado con el propietario de SST, tecnología de alto rendimiento del Cmos SuperFlash. El inyector que hace un túnel del diseño y del grueso-óxido de la célula de la fractura-puerta logra una mejor confiabilidad y el manufacturability comparados con acercamientos alternos.

Los dispositivos SST29SF020/040 escriben (programa o borrado) con una fuente de alimentación 4.5-5.5V. Los dispositivos SST29VF020/040 escriben (programa o borrado) con una fuente de alimentación 2.7-3.6V. Estos dispositivos se ajustan a las asignaciones de perno estándar de JEDEC para las memorias x8.

Ofreciendo Byte-programa del alto rendimiento, los dispositivos SST29SF020/040 y SST29VF020/040 proporcione un rato máximo del Byte-programa del µsec 20. Para proteger contra inadvertido escriba, tienen esquemas de la protección de datos del soporte físico y del software del en-microprocesador. Diseñados, fabricados, y probados para una amplia gama de usos, estos dispositivos se ofrecen con una resistencia garantizada por lo menos de 10.000 ciclos. La retención de los datos es clasificada en mayor de 100 años.

Los dispositivos SST29SF020/040 y SST29VF020/040 se adaptan para los usos que requieren la puesta al día conveniente y económica del programa, de la configuración, o de la memoria de los datos. Para todos los usos de sistema, ellos perceptiblemente mejorar funcionamiento y confiabilidad, mientras que baja el consumo de energía. Intrínsecamente utilizan menos energía durante borrado y programa que tecnologías de destello alternativas. La energía total consumida es una función del voltaje aplicado, actual, y de la época del uso. Desde entonces para cualquier gama dada del voltaje, la tecnología de SuperFlash utiliza menos actual al programa y tiene un rato más corto del borrado, la energía total consumida durante cualquier borrado o la operación del programa es menos que tecnologías de destello alternativas. Ellas también mejorar flexibilidad mientras que baja el coste para el programa, los datos, y los usos del almacenamiento de la configuración.

La tecnología de SuperFlash proporciona independiente de los tiempos fijos del borrado y del programa del número de ciclos del borrado/de programa que han ocurrido. Por lo tanto, el software del sistema o el soporte físico no tiene que ser modificado o reducido la capacidad normal tan es necesario con las tecnologías de destello alternativas, cuyos tiempos del borrado y del programa aumentan con los ciclos acumulados del borrado/de programa.

Para resolver de alta densidad, los requisitos superficiales del soporte, los dispositivos SST29SF020/040 y SST29VF020/040 se ofrecen en 32 la ventaja PLCC y 32 paquetes de la ventaja TSOP.

 

 

Usos:

 

• Organizado como 256K x8/512K x8

• Sola lectura del voltaje y escribir operaciones

– 4.5-5.5V para SST29SF020/040

– 2.7-3.6V para SST29VF020/040

• Confiabilidad superior

– Resistencia: 100.000 ciclos (de típico)

– Mayor de 100 años de retención de los datos

• Bajo consumo de energía:

– Corriente activa: 10 mA (de típico)

– Corriente espera:

µA 30 (típico) para SST29SF020/040

1 µA (típico) para SST29VF020/040

• Capacidad del Sector-borrado

– 128 sectores uniformes del byte

• Tiempo rápido del acceso de lectura:

– 55 ns para SST29SF020/040

– 70 ns para SST29VF020/040

• Dirección y datos trabados

• Borrado y Byte-programa rápidos:

– Tiempo del Sector-borrado: ms 18 (típico)

– Tiempo del Microprocesador-borrado: ms 70 (típico)

– Tiempo del Byte-programa: 14 µs (típicos)

– Chip Rewrite Time:

4 segundos (de típico) para SST29SF/VF020

8 segundos (de típico) para SST29SF/VF040

• Automático escriba la sincronización

– Generación interna de VPP

• Fin-de-escriba la detección

– Pedazo de palanca

– Interrogación de Data#

• Compatibilidad de la entrada-salida de TTL para SST29SF020/040

• Compatibilidad de la entrada-salida del Cmos para SST29VF020/040

• Estándar de JEDEC

– EEPROM de destello Pinouts y sistemas del comando

• Paquetes disponibles

– 32 ventaja PLCC

– 32 ventaja TSOP (8m m x 14m m)

• Todos los dispositivos (sin plomo) del no-Pb son RoHS obediente

 

Especificaciones:

número de parte.SST29SF040-55-4C-WH
FabricanteTecnología de almacenamiento del silicio, inc.
capacidad de la fuente10000
datecode10+
paquete32pin-PLCC/TSOP
observaciónacción nueva y original
Etiquetas de productos:
China Memoria Flash IC de SSF integró 2 Mbit Mbit/4 X8 SST29SF040-55-4C-WH ROHS supplier

Memoria Flash IC de SSF integró 2 Mbit Mbit/4 X8 SST29SF040-55-4C-WH ROHS

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