HMC311ST89ETR IC Componentes electrónicos InGaP HBT GAIN BLOCKMMIC AMPLIFIER
Número de modelo:HMC311ST89ETR, que se encuentra en la parte inferior de la parte inferior de la parte superior de la
Lugar de origen:Shenzhen, China
Cantidad mínima de pedido:1 piezas
Condiciones de pago:T/T
Capacidad de suministro:4100pcs/day
Tiempo de entrega:En stock
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Shenzhen Guangdong China
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Sitio 1707-1708, A constructiva, edificio de Jiahe, camino medio de 3006 Shennan, distrito de Futian, Shenzhen, Guangdong, China
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Detalles del producto
HMC311ST89ETR IC Componentes electrónicos InGaP HBT GAIN BLOCKMMIC
AMPLIFIER
Descripción del producto
con un valor superior
una temperatura de -40°C a +105°C
Número de la parteHMC311ST89ETR, que se encuentra en la parte inferior de la parte inferior de la parte superior de la parte superior de la parte inferior de la parte inferior de la parte superior de la parte inferior de la parte inferior de la parte superior de la parte inferior de la parte inferior de la parte superior de la parte inferior de la parte superior de la parte inferior de la parte superior de la parte inferior de la parte inferior de la parte superior de la parte inferior de la parte inferior de la parte inferior de la parte inferior de la parte superior de la parte inferior de la parte inferior de la parte inferior de la parte inferior de la parte inferior de la parte inferior de la parte inferior de la parte inferior.está fabricado porDDA por díaComo uno de los principales distribuidores de productos electrónicos, llevamos muchos componentes electrónicos de los principales fabricantes del mundo.
Para obtener más información sobreHMC311ST89ETR, que se encuentra en la parte inferior de la parte inferior de la parte superior de la parte superior de la parte inferior de la parte inferior de la parte superior de la parte inferior de la parte inferior de la parte superior de la parte inferior de la parte inferior de la parte superior de la parte inferior de la parte superior de la parte inferior de la parte superior de la parte inferior de la parte inferior de la parte superior de la parte inferior de la parte inferior de la parte inferior de la parte inferior de la parte superior de la parte inferior de la parte inferior de la parte inferior de la parte inferior de la parte inferior de la parte inferior de la parte inferior de la parte inferior.Para procesar su consulta, por favor agregue la cantidad a su mensaje.
Detalles del producto/parámetros
| frecuencia | 0 Hz ~ 6 GHz |
| Fuente de alimentación | 74 mA |
| Ganancias | 14.5 dB |
| Temperatura de trabajo (MAX) | 85 °C |
| Temperatura de trabajo (min) | -40 °C |
| Disopolia (MAX) | 340 mW |
| tensión | 5 V |
| Las pines | 4 |
| Encapsulado | Se trata de la SOT-89-3. |
| muy alto | 1.6 mm |
| Ciclo de vida del producto | Actividad |
| Envasado | Cintas y bobinas (TR) |
| Norma ROHS | Conforme con la Directiva RoHS |
| Parte de la lista de inventario recomendada | ||
| HMC327MS8GE, también conocido como HMC327 | DDA por día | Se aplican las siguientes condiciones: |
| HMC311SC70ETR, el cual se encuentra en la zona de control. | DDA por día | Las demás: |
| HMC311SC70E, el cual es el más pequeño. | DDA por día | Las demás: |
| El HMC349AMS8GE | DDA por día | Se aplican las siguientes condiciones: |
| HMC326MS8GE, también conocido como HMC326 | DDA por día | Se aplican las siguientes condiciones: |
| HMC311LP3ETR | DDA por día | Las demás: |
| HMC349AMS8GETR, el cual es el más pequeño | DDA por día | Se aplican las siguientes condiciones: |
| HMC358MS8GE, también conocido como HMC358 | DDA por día | Se aplicará el modelo de referencia. |
| HMC311ST89E: el número de unidad | DDA por día | El SOT-89 |
| HMC370LP4E | DDA por día | Número de referencia |
| HMC313ETR, incluido el HMC313 | DDA por día | Se aplicará el código SOT23-6. |
| HMC385LP4E | DDA por día | No incluye: |
| HMC368LP4E | DDA por día | Número de referencia |
| El HMC349ALP4CETR | DDA por día | Las demás: |
| HMC311LP3E | DDA por día | Las demás: |
el VNS14NV04P-E es un dispositivo monolítico hecho
utilizando STMicroelectronicsTM VIPowerTM M0
Tecnología destinada a sustituir el estándar
MOSFETs de potencia en aplicaciones de CC a 50 KHz.
El HMC311ST89(E es un amplificador GaAs InGaP Heterojunction Bipolar Transistor (HBT) Gain Block MMIC SMT DC a 6 GHz.el amplificador puede ser utilizado como un estadio de ganancia en cascada de 50 Ohm o para conducir la LO de mezcladores HMC con hasta +16potencia de salida de 0,5 dBm.
ventajas
1La fuente de las piezas determina el precio, la fuente de nuestras piezas es muy inicial.
2El precio puede ser negociable en función de la cantidad; términos de entrega;
3Trataremos de ayudar a los clientes a reducir los cargos de carga.
4. El precio de los productos cambia con frecuencia, si necesita cotizar el precio, por favor informe el modelo que necesita, le daremos el precio razonable como el precio cotizado estándar en el mismo día
Preguntas frecuentes
P1: ¿Cómo puedo obtener el precio?
R1: Por lo general, citamos dentro de las 24 horas después de recibir su consulta (excepto los fines de semana y días festivos).Por favor, envíenos un correo electrónico o póngase en contacto con nosotros de otras maneras para que podamos ofrecerle un presupuesto.
P2: ¿Cuánto dura nuestro tiempo de entrega?
A2: Esto depende de la cantidad de los bienes que usted ordenó, tenemos stock, por lo general 15-20 días de tiempo de entrega.
P3: ¿Cómo hacer el pedido?
A3: Por favor, envíe su pedido o solicitud por correo a nosotros, y díganos la siguiente información: detalles de envío, incluyendo el nombre de la empresa, dirección, persona, número de teléfono, cantidad.
P4: ¿Cuántos descuentos hay disponibles para pedir productos?
A4: Siempre y cuando nos proporcione su demanda, le daremos el mejor precio.
HMC311ST89ETR IC Componentes electrónicos InGaP HBT GAIN BLOCKMMIC AMPLIFIER
Carro de la investigación
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