Memoria de K4T1G164QF-BCE700 1Gbit DDR2 SDRAM
Number modelo:K4T1G1640E-HIE6
Lugar del origen:TSOP
Cantidad de orden mínima:1pcs
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Capacidad de la fuente:1000PCS
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Shenzhen China
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Sitio 10b, 10ª planta, edificio electrónico de la tecnología, norte de Huaqiang, Shenzhen
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K4T1G1640E-HIE6 - Memoria SDRAM DDR3 de 1 GB
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Introducción:
El K4T1G1640E-HIE6 es un módulo de memoria DDR3 SDRAM de 1Gbit diseñado para su uso en una variedad de aplicaciones de computación y de memoria intensiva.y compatibilidadEl K4T1G1640E-HIE6 también ofrece una velocidad de transferencia de datos de alta velocidad y un bajo consumo de energía.que lo hace adecuado para su uso en dispositivos móviles y otras aplicaciones sensibles a la energía.
Aplicaciones:
Computadoras de escritorio, portátiles, servidores y estaciones de trabajo
Atributos del producto:
| Marca del producto | Samsung Electronics también |
|---|---|
| Tipo de memoria | DDR3 SDRAM |
| Tamaño de la memoria | 1Gbit (128MB) |
| Velocidad de la memoria | 1600 MHz |
| Válvula de alimentación | 1.5V |
| Tipo de paquete | FBGA de 96 bolas |
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Preguntas frecuentes:
P1: ¿Cuál es el tipo de memoria del K4T1G1640E-HIE6?
R: El K4T1G1640E-HIE6 es un módulo de memoria DDR3 SDRAM.
P2: ¿Cuál es la velocidad de memoria del K4T1G1640E-HIE6?
R: El K4T1G1640E-HIE6 tiene una velocidad de memoria de 1600 MHz.
P3: ¿Cuál es el voltaje de alimentación del K4T1G1640E-HIE6?
R: El K4T1G1640E-HIE6 funciona con un voltaje de alimentación de 1,5 V.
P4: ¿Cuál es la capacidad de memoria del K4T1G1640E-HIE6?
R: El K4T1G1640E-HIE6 tiene una capacidad de memoria de 1Gbit (128MB).
P5: ¿Cuál es el tipo de paquete del K4T1G1640E-HIE6?
R: El K4T1G1640E-HIE6 viene en un paquete FBGA de 96 bolas.
P6: ¿Para qué tipo de dispositivos es adecuado el K4T1G1640E-HIE6?
R: El K4T1G1640E-HIE6 es adecuado para su uso en ordenadores de escritorio, portátiles, servidores y estaciones de trabajo que requieren un alto rendimiento y fiabilidad para aplicaciones de alta intensidad de memoria.
Memoria de K4T1G164QF-BCE700 1Gbit DDR2 SDRAM
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