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Transistor 2SD822/D822/circuito integrado IC
CARACTERÍSTICAS
Disipación de poder
GRADOS MÁXIMOS (TA=25°C a menos que se indicare en forma diferente)
Símbolo | Parámetro | Valor | Unidades |
VCBO | Voltaje de la Colector-base | 40 | V |
VCEO | Voltaje del Colector-emisor | 30 | V |
VEBO | Voltaje de la Emisor-base | 6 | V |
IC | Corriente de colector - continua | 3 | A |
Paladio | Disipación de poder del colector | 1,25 | W |
TJ | Temperatura de empalme | 150 | °C |
Tstg | Temperatura de almacenamiento | -55-150 | °C |
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS (Tamb=25°C salvo especificación de lo contrario)
Parámetro | Símbolo | Condiciones de prueba | MINUTO | TIPO | Max | UNIDAD |
voltaje de avería de la Colector-base | V (BR) CBO | IC = 100μA, IE=0 | 40 | V | ||
voltaje de avería del Colector-emisor | (BR) CEO V | IC = 10mA, IB=0 | 30 | V | ||
voltaje de avería de la Emisor-base | V (BR) EBO | IE= 100μA, IC=0 | 5 | V | ||
Corriente de atajo de colector | ICBO | VCB= 40 V, IE=0 | 1 | μA | ||
Corriente de atajo de colector | ICEO | VCE= 30 V, IB=0 | 10 | μA | ||
Corriente del atajo del emisor | IEBO | VEB= 6 V, IC=0 | 1 | μA | ||
Aumento actual de DC | hFE | VCE= 2 V, IC= 1A | 60 | 400 | ||
voltaje de saturación del Colector-emisor | VCE (sentado) | IC= 2A, IB= 0,2 A | 0,5 | V | ||
Voltaje de saturación del emisor de base | VBE (sentado) | IC= 2A, IB= 0,2 A | 1,5 | V | ||
Frecuencia de la transición | pie | VCE= 5V, IC=0.1A f =10MHz | 90 | Megaciclo |
CLASIFICACIÓN del hFE
Fila | R | O | Y | GR |
Gama | 60-120 | 100-200 | 160-320 | 200-400 |
Detalles del contacto:
Contacto: Ángel Sun
Teléfono: +86-13528847020
Correo electrónico: Admin@winsunhk.cn
Skype: Angelsun618
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