Disipación de poder de IC 1.25W del transistor/del circuito integrado 2SD822/D822

Número de modelo:2SD822/D822
Lugar del origen:CN
Cantidad de orden mínima:100
Condiciones de pago:T / T, Western Union, MoneyGram
Detalles de empaquetado:plástico +carton
Paquete:TO-126
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Shenzhen Guangdong China
Dirección: 311EF, B Buliding, Zhengzhong Time Square, Longgang District, Shenzhen City, China.
Proveedor Último login veces: Dentro de 41 Horas
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Detalles del producto

Transistor 2SD822/D822/circuito integrado IC

 

 

CARACTERÍSTICAS
Disipación de poder

 


GRADOS MÁXIMOS (TA=25°C a menos que se indicare en forma diferente)

SímboloParámetroValorUnidades
VCBOVoltaje de la Colector-base40V
VCEOVoltaje del Colector-emisor30V
VEBOVoltaje de la Emisor-base6V
ICCorriente de colector - continua3A
PaladioDisipación de poder del colector1,25W
TJTemperatura de empalme150°C
TstgTemperatura de almacenamiento-55-150°C

 

 

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS (Tamb=25°C salvo especificación de lo contrario)

ParámetroSímboloCondiciones de pruebaMINUTOTIPOMaxUNIDAD
voltaje de avería de la Colector-baseV (BR) CBOIC = 100μA, IE=040  V
voltaje de avería del Colector-emisor(BR) CEO VIC = 10mA, IB=030  V
voltaje de avería de la Emisor-baseV (BR) EBOIE= 100μA, IC=05  V
Corriente de atajo de colectorICBOVCB= 40 V, IE=0  1μA
Corriente de atajo de colectorICEOVCE= 30 V, IB=0  10μA
Corriente del atajo del emisorIEBOVEB= 6 V, IC=0  1μA
Aumento actual de DChFEVCE= 2 V, IC= 1A60 400 
voltaje de saturación del Colector-emisorVCE (sentado)IC= 2A, IB= 0,2 A  0,5V
Voltaje de saturación del emisor de baseVBE (sentado)IC= 2A, IB= 0,2 A  1,5V
Frecuencia de la transiciónpieVCE= 5V, IC=0.1A f =10MHz 90 Megaciclo

 

 

CLASIFICACIÓN del hFE

FilaROYGR
Gama60-120100-200160-320200-400

 


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Disipación de poder de IC 1.25W del transistor/del circuito integrado 2SD822/D822

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