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Memoria Flash IC 512Kb (64K x 8) SPI 70MHz 8-SOIC de
AT25F512B-SSH-T
Descripción
El AT25F512B es un dispositivo de memoria Flash de la interfaz en
serie diseñado para el uso en una amplia variedad de consumidor en
grandes cantidades basó los usos en los cuales el código de
programa se sombrea de memoria Flash en RAM integrado o externo
para la ejecución. La arquitectura flexible del borrado del
AT25F512B, con su granulosidad del borrado tan pequeña como 4
kilobytes, hace ideal para el almacenamiento de datos también,
eliminando la necesidad de dispositivos del almacenamiento de datos
adicional EEPROM. Los tamaños de bloque del borrado del AT25F512B
se han optimizado para cubrir las necesidades de los usos de hoy
del almacenamiento del código y de datos. Optimizando el tamaño de
los bloques del borrado, la memoria se puede utilizar mucho más
eficientemente. Porque ciertos segmentos del almacenamiento de los
módulos y de datos del código deben residir solo en sus propias
regiones del borrado, haber perdido y la memoria inusitada que
ocurre con haber sectored grande y los dispositivos de memoria
Flash grandes del borrado del bloque pueden ser reducidos
grandemente. Esta eficacia creciente de la memoria permite las
rutinas del código adicional y los segmentos del almacenamiento de
datos que se añadirán mientras que todavía mantiene la misma
densidad total del dispositivo. El dispositivo también contiene un
registro especializado de la seguridad de OTP (programable de una
sola vez) que se pueda utilizar para los propósitos tales como
serialización única del dispositivo, almacenamiento electrónico a
nivel sistema del número de serie (ESN), almacenamiento dominante
bloqueado, etc. Diseñado específicamente para el uso en sistemas de
3 voltios, el AT25F512B apoya la lectura, el programa, y
operaciones del borrado con una gama del voltaje de fuente de 2.7V
a 3.6V. No se requiere ningún voltaje separado para programar y
borrar.
Fabricante | Tecnología del microchip | |
---|---|---|
Serie | - | |
Empaquetado | Cinta y carrete (TR) | |
Situación de la parte | Obsoleto | |
Tipo de la memoria | Permanente | |
Formato de la memoria | FLASH | |
Tecnología | FLASH | |
Tamaño de la memoria | 512Kb (64K x 8) | |
Frecuencia de reloj | 70MHz | |
Escriba la duración de ciclo - palabra, página | 15µs, 5ms | |
Interfaz de la memoria | SPI | |
Voltaje - fuente | 2,7 V ~ 3,6 V | |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TC) | |
Montaje del tipo | Soporte superficial | |
Paquete/caso | 8-SOIC (0,154", anchura de 3.90m m) | |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-SOIC | |
Número de parte bajo | AT25F512 |
Lista de otros componentes electrónicos en existencia | ||||
NÚMERO DE PARTE | MFG/BRAND | NÚMERO DE PARTE | MFG/BRAND | |
LM385M3X-2.5 | NS | S-1132B26-I6T2G | SEIKO | |
WG82534RDE SL8QH | INTEL | REF3312AIDBZR | TI | |
PIC24FJ64GA002-I/SP | MICROCHIP | CAT24C01YI-GT3 | EN | |
BU4584B | ROHM | SN65HVD1794DR | TI | |
AIC1734-27PU (DA27P) | AIC | MAX9032AUA+T | MÁXIMA | |
TMA 1212D | TRACOPOWER | KM68V1000BLT-7L | SAMSUNG | |
TLP762J | TOSHIBA | IS67WVE4M16BLL-70BLA1 | ISSI | |
SSD2531QN5 | SOLOMON | ATF1500AL-25AC | ATMEL/ADESTO | |
MX29LV040QC-70 | MXIC | MM1616XBRE | MITSUMI | |
LM324N | TI | BD9321EFJ-E2 | ROHM | |
CY62128VLL-55Z | CY | PNJ4S49M01CA | PANASONIC | |
SRTP8J919F8F2017A | SCSE | PCI9060REV2 | PLX | |
MX29LV320ABTC-90 | MXIC | MSP3415G-QI-B8-V3-T | MICRONAS | |
EL2090CM | ELANTEC | EP2SGX90EF1152C3 | ALTERA | |
856979 | MANUFACT | DCP010505DBP | BB | |
IDT89HA0324APSZG | IDT | BCM5784CU | BROADCOM | |
FDV303N | FAIRCHILD | SXBP-100+ | MINI | |
BCM1113RKPB | BROADCOM | DS1314S-2+T | MÁXIMA | |
TL7700CDGKR | TI | BD4826G-TR | ROHM | |
S-80924CLMC-G6UT2G | SII | SC6600D5-180G | SPREADTRU |