Complemento bajo PBSS4160T del transistor de poder del Mosfet de NPN VCEsat PNP

Número de modelo:PBSS4160T, 215
Lugar del origen:CN
Cantidad de orden mínima:3000 piezas
Condiciones de pago:T / T, Western Union, PayPal
Capacidad de la fuente:10Kpcs por año
Plazo de expedición:1-2 días hábiles
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Shenzhen Guangdong China
Dirección: C12F, plaza de Huaqiang, Huaqiangbei Shenzhen, China 518031
Proveedor Último login veces: Dentro de 48 Horas
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Transistor bajo de PBSS4160T NPN VCEsat en SOT23 un complemento plástico del paquete PNP a PBSS5160T

CARACTERÍSTICAS
• Voltaje de saturación bajo del colector-emisor VCEsat
• Alta capacidad IC e ICM de la corriente de colector
• La eficacia alta, reduce la generación de calor
• Reduce el área del tablero del circuito impreso requerida
• Reemplazo rentable para el transistor de poder medio BCP55 y BCX55.

USOS
• Segmentos importantes del uso:
– Poder automotriz de 42 V
– Infraestructura de las telecomunicaciones
– Industrial.
• Gestión del poder:
– Conversión de DC-a-DC
– Transferencia de línea de suministro.
• Conductor periférico
– Conductor en usos bajos del voltaje de fuente (e.g lámparas y LED)
– Conductor de la carga inductiva (e.g retransmisiones, zumbadores y motores).

FabricanteNexperia los USA Inc.
Serie-
EmpaquetadoCinta y carrete (TR)
Situación de la parteActivo
Tipo del transistorNPN
Actual - colector (Ic) (máximo)1A
Voltaje - avería del emisor del colector (máxima)60V
Saturación de Vce (máxima) @ Ib, Ic250mV @ 100mA, 1A
Actual - atajo del colector (máximo)100nA
Aumento actual de DC (hFE) (minuto) @ Ic, Vce200 @ 500mA, 5V
Poder - máximo400mW
Frecuencia - transición220MHz
Temperatura de funcionamiento150°C (TJ)
Tipo del montajeSoporte superficial
Paquete/casoTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Paquete del dispositivo del proveedorTO-236AB (SOT23)
Número de parte bajoPBSS4160


Lista de otros componentes electrónicos en existencia
NÚMERO DE PARTEMFG/BRAND NÚMERO DE PARTEMFG/BRAND
ISP1104WPHILIPS MPC860DECZQ50D4FRRESCALE
IRLR2908PBFIRF MAX993ESD+TMÁXIMA
A64ST MAX9120EXK+TMÁXIMA
TDA4665PHILIPS CY7C1360B-166AJXCCYPRESS
RT9231RICHTEK S29GL01GP11FFIR10SPANSION
PW328-30LPIXELWO TPS25200DRVRTI
PCA9543AD NQ84010TNB QL85ESINTEL
MT18KDF1G72AZ-1G6P1MICRÓN YZ98223R02TDK
LT1110CS8LT VLP8040T-680MTDK
LSI53C1030COLSILOGIC SPHE8202RSUNPLUS
PKM2510EPIHSLAERICSSON IRLU024NPBFIR
WJLXT384ECORTINA ICS307M-02ILFTICS
ST4G3235BJRSTM BD13716SFAIRCHILD
LP3964EMPX-ADJ/NOPBTI BCX55-16E6327INFINEON
ADG451BRADI TLE42994EINFINEON
NTUD3169CZT5GEN NJM2283M (TE2)JRC
TG83-1505NUTRHALO BSS138N E6327INFINEON
RC2010JK-07820RLYAGEO AD5314ARMZ-REEL7ADI
CD4572BETI 1632-32.76MHZNDK
74LVQ00TTRSTM SBC560LITEON
China Complemento bajo PBSS4160T del transistor de poder del Mosfet de NPN VCEsat PNP supplier

Complemento bajo PBSS4160T del transistor de poder del Mosfet de NPN VCEsat PNP

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