Transistor de poder del Mosfet de IRFPC60PBF 600V 16A a través del agujero TO-247-3
Número de modelo:IRFPC60PBF
Lugar del origen:CN
Cantidad de orden mínima:30 pedazos
Condiciones de pago:T / T, Western Union, PayPal
Capacidad de la fuente:10Kpcs por año
Plazo de expedición:1-2 días hábiles
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Shenzhen Guangdong China
Dirección:
C12F, plaza de Huaqiang, Huaqiangbei Shenzhen, China 518031
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Detalles del producto
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Detalles del producto
Canal N 600V 16A (Tc) 280W (Tc) del TRANSISTOR del MOSFET de
IRFPC60PBF a través del agujero TO-247-3
CARACTERÍSTICAS
• Grado dinámico de dV/dt
• Avalancha repetidor clasificada
• Agujero de montaje central aislado
• Transferencia rápida
• Facilidad de ser paralelo a
• Requisitos simples de la impulsión
• Ventaja (Pb) - disponible libre
DESCRIPCIÓN
Los MOSFETs del poder de la tercera generación de Vishay proveen
del diseñador la mejor combinación de transferencia rápida, de
diseño construido sólidamente del dispositivo, de en-resistencia
baja y de rentabilidad. El paquete TO-247 se prefiere para los usos
comercial-industriales donde los niveles de mayor potencia impiden
el uso de los dispositivos TO-220. El TO-247 es similar pero
superior al paquete anterior TO-218 debido a su agujero de montaje
aislado. También proporciona mayor distancia de contorneamiento
entre los pernos para cumplir los requisitos de la mayoría de las
especificaciones de seguridad.
| Fabricante | Vishay Siliconix | |
|---|---|---|
| Serie | - | |
| Empaquetado | Tubo | |
| Situación de la parte | Activo | |
| Tipo del FET | Canal N | |
| Tecnología | MOSFET (óxido de metal) | |
| Drene al voltaje de la fuente (Vdss) | 600V | |
| Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C | 16A (Tc) | |
| Conduzca el voltaje (Rds máximo encendido, el minuto el Rds encendido) | 10V | |
| Identificación de Vgs (th) (máximo) @ | 4V @ 250µA | |
| Bloquee la carga (Qg) (máximo) @ Vgs | 210nC @ 10V | |
| Vgs (máximo) | ±20V | |
| Capacitancia (Ciss) (máximo) @ Vds de la entrada | 3900pF @ 25V | |
| Característica del FET | - | |
| Disipación de poder (máxima) | 280W (Tc) | |
| Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs | 400 mOhm @ 9.6A, 10V | |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo del montaje | A través del agujero | |
| Paquete del dispositivo del proveedor | TO-247-3 | |
| Paquete/caso | TO-247-3 |
| Lista de otros componentes electrónicos en existencia | ||||
| NÚMERO DE PARTE | MFG/BRAND | NÚMERO DE PARTE | MFG/BRAND | |
| 19409-002 | ONSEMI | MAX6351LSUT-T | MÁXIMA | |
| R1211N002B-TR-F | RICOH | KA78M15 | FAIRCHILD | |
| LP61256GS-12 | ELITEMT | CY24745OXC | CYPRESS | |
| KSD880YTU | FAIRCHILD | AT91SAM7SE512-CU | ATMEL/ADESTO | |
| IDT5T93GL-061PFI | IDT | MINISMDC150F/12-2 | TYCO | |
| S2202A | SYNAPTICS | EXC28CH900U | PANASONIC | |
| NM-SM50+ | MINI | ECT315 | ECT | |
| MAX1482CPD | MÁXIMA | 293D106X9016C2TE3 | VISHAY | |
| WRM0204C-47RFI | NA | VK05CFLTR-E | ST | |
| TC74HCT245AF | TOSHIBA | DS12C887+ | DALLAS | |
| LH28F160BJE-BTL90 | AGUDO | BA15218F | ROHM | |
| DS75150M | NS | 24C02C-I/SN | MIC | |
| BCT3661BELT-TR | BROADCHIP | 1812CS-102XJLC | TYCO | |
| TS5A3167DCKR | TI | TLC320AC02CFNR | TI | |
| SSM3K05FU | TOSHIBA | ATMEGA32L-8AC | ATMEL/ADESTO | |
| PIC16LC773/SS | MICROCHIP | AD807A-155BRRL7 | ADI | |
| AME8815BEC330 | AME | TK6A60W, S4VX | TOSHIBA | |
| TA8041FG | TOSHIBA | BGS14AN16 E6327 | INFINEO | |
| MAX233AEWP | MÁXIMA | NTE0305MC | MURATA | |
| ADUC848BCPZ62-5 | ADI | ME6209A36PG | MICRONE | |
Transistor de poder del Mosfet de IRFPC60PBF 600V 16A a través del agujero TO-247-3
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