Reemplazo RA60H4452M1-101 del transistor del amperio de la etapa de H2M 2 para la radio móvil

Número de modelo:RA60H4452M1-101
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RA60H4452M1-101 440-520MHz 60W 12.5V, 2 efectúan el transistor de poder del amperio para la RADIO MÓVIL


DESCRIPCIÓN


El RA60H4452M1 es un módulo del amplificador del MOSFET del RF de 60 vatios para las radios móviles de 12,5 voltios que actúan en los 440 - a la gama 520-MHz. La batería se puede conectar directamente con el dren de los transistores del MOSFET del aumento-modo. Sin el voltaje de la puerta (VGG=0V), solamente una pequeña corriente de la salida fluye en el dren y la señal de salida nominal (Pout=60W) atenúa DB hasta 60. Del dren el aumento actual de potencia de salida y como el voltaje de la puerta aumenta. Del dren el aumento actual de potencia de salida y substancialmente con el voltaje de la puerta alrededor de 0V (mínimo). El de potencia de salida nominal está disponible en el estado que VGG es 4V (típico) y 5V (máximo). En VGG=5V, las corrientes típicas de la puerta son el módulo 5mA.This se diseñan para la modulación no lineal de FM, pero se pueden también utilizar para la modulación linear fijando la corriente quieta del dren con el voltaje de la puerta y controlando el de potencia de salida con la energía de entrada


CARACTERÍSTICAS


1, transistores del MOSFET del Aumento-modo (IDD≅0 @ VDD=12.5V, VGG=0V)

2, Pout>60W, el ηT>40% @ VDD=12.5V, VGG=5V, Pin=50mW

3, gama de frecuencia de banda ancha: 440-520MHz

4, estructura del escudo del metal que lleva a cabo las mejoras de la radiación falsa simples

5, control de baja potencia IGG=5mA actual (tipo) @ VGG=5V

6, tamaño del módulo: 67 x 18 x 9,9 milímetros

7, operación linear es posibles fijando el dren quieto actual con los voltajes de la puerta y controlando el de potencia de salida con la energía de entrada.


Lista de otros componentes electrónicos en existencia
NÚMERO DE PARTEMFG/BRAND NÚMERO DE PARTEMFG/BRAND
ECLAMP0504T-TCTSEMTECH NJM2374AV (TE1)JRC
MAX6694TE9A+MÁXIMA UCD9246GRGCRTI
LP3981ILD-3.3NS EPM7128SLI84-10NALTERA
TDA7512-LFST C2161WX2CAMBRIDGE
RCV336ACFWCONEXANT ADT7310TRZ-REEL7ADI
M24LR04WMN8T2UGBSTM ADF4001BRU-REEL7ADI
LT1679CS#TRPBFLT 25LC040-I/SNMICROCHIP
ADE7755ADI XC18V02PCG44CXILINX
EL WSR-2.01E1%VISHAY ECHU1683GC9PANASONIC
MT49H16M36FM-25E: BMICRÓN BC6888A04-ICXL-RCSR
LM3445MMX/NOPBTI TPS3823-33DBVRG4TI
LC4046V-75TN100-75IENREJADO MT46H32M32LFB5-5 AIT: BMICRÓN
EB2-5NU-LNEC SN74LVC1G06DRYRTI
2SC2712-Y, LXGFTOS PEF55218E V2.1GLANTIQ
MB39A109APFT-G-BND-ERE1FUJITSU LM201AVDR2GEN
BCM6526IFB2BROADCOM AU6476B51-GBL-GRALCOR
NR8040T2R0NTAIYO R2A20296FTRENESAS
MP3388DR-LF-ZP.M. PI3EQX5801ZDEXPERICOM
MGA-61563-BLKGAVAGO NJM2576RB1 (TE1)JRC
046701.5NRHFLITTELFUSE LP3991TL-1.2NS
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Reemplazo RA60H4452M1-101 del transistor del amperio de la etapa de H2M 2 para la radio móvil

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