A través de Mosfet 55V 49A 94W TO-220 ROHS IRFZ44NPBF IRFZ44N del poder del canal N del agujero
Número de modelo:IRFZ44NPBF
Lugar del origen:China
Cantidad de orden mínima:50pcs
Condiciones de pago:Western Union, T/T, Paypal
Capacidad de la fuente:consulta
Plazo de expedición:2-3 días laborables
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Shenzhen Guangdong China
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C12F, plaza de Huaqiang, Huaqiangbei Shenzhen, China 518031
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MOSFET 55V 49A 94W del PODER del canal N de IRFZ44N a través del agujero TO-220
Descripción
MOSFETs avanzados del poder de HEXFET® del International
El rectificador utiliza técnicas de proceso avanzadas para alcanzar
extremadamente - en-resistencia baja por área del silicio. Esta ventaja,
combinado con la velocidad de transferencia rápida y construido sólidamente
diseño del dispositivo que los MOSFETs del poder de HEXFET están bien
sabido para, provee del diseñador un extremadamente eficiente
y dispositivo confiable para el uso en una amplia variedad de usos.
El paquete TO-220 se prefiere universal para todos
usos comercial-industriales en la disipación de poder
niveles a aproximadamente 50 vatios.
La termal baja
la resistencia y el coste bajo del paquete del TO-220 contribuyen
a su aceptación amplia en la industria.
Características
l tecnología de proceso avanzada
l En-resistencia ultrabaja
l grado dinámico de dv/dt
l temperatura de funcionamiento de 175°C
l ayuna transferencia
l completamente avalancha clasificada
Cualidades de producto
| Tipo del FET | Canal N |
| Tecnología | MOSFET (óxido de metal) |
| Drene al voltaje de la fuente (Vdss) | 55V |
| Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C | 49A (Tc) |
| Conduzca el voltaje (Rds máximo encendido, el minuto el Rds encendido) | 10V |
| Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs | mOhm 17,5 @ 25A, 10V |
| Identificación de Vgs (th) (máximo) @ | 4V @ 250µA |
| Bloquee la carga (Qg) (máximo) @ Vgs | 63nC @ 10V |
| Vgs (máximo) | ±20V |
| Capacitancia (Ciss) (máximo) @ Vds de la entrada | 1470pF @ 25V |
| Característica del FET | - |
| Disipación de poder (máxima) | 94W (Tc) |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo del montaje | A través del agujero |
| Lista de otros componentes electrónicos en existencia | ||||
| MAX3233ECWP+T | MÁXIMA | SG2368 | TTK | |
| MAX1786EUI+TG069 | MÁXIMA | KRC414-RTK | KEC | |
| TK39J60W | TOSHIBA | TNY256PN | PODER | |
| SP6203EM5-L-3-0/TR | SIPEX/EXAR | S29AL006D90MFI01 | SPANSION | |
| S3C6400XL-53 | SAMSUNG | ICS954226AGLFT | IDT | |
| M24M01-RMN6TP | STM | AD652JPZ-REEL | ADI | |
| BD3533F-E2 | ROHM | XC3S400-4FGG456I | XILINX | |
| M93C66-WMN6TP | ST | SWL-2700S | SAMSUNG | |
| LM2651MTC-3.3 | NS | AU6376E44-GAL-NP | ALCOR | |
| FDS6699S | FAIRCHILD | 74LVC138ABQ | ||
| DS1302S+ | DALLAS | TK50A04K3, S5Q (M | TOSHIBA | |
| SM5921AF | NPC | DAC8568IAPW | TI | |
| MC34018DW | MOTOROLA | BCM53314SB0KPBG | BROADCOM | |
| LM3526MX-H/NOPB | NSC | SPD03N60S5 | INFINEON | |
| DSP56303PV100 | FREESCALE | SAFEA1G57KJ0F00R14 | MURATA | |
| DSA30C100HB | IXYS | B50610C1KMLG | BROADCOM | |
| 74HC4016D | PHILIPS | SN9C233BJG | SONIX | |
| MAX1534ETE+ | MÁXIMA | IRF1104PBF | IR | |
| ADR440BRZ | ADI | EP1S20F672C7L | ALTERA | |
| AD2S1210BSTZ | ADI | BR93L66FV-WE2 | ROHM | |
A través de Mosfet 55V 49A 94W TO-220 ROHS IRFZ44NPBF IRFZ44N del poder del canal N del agujero
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