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Soporte 8-MLP de la superficie del MOSFET 2.3W 41W del PODER del P-canal 20V de FDMC510P
Descripción general
Este MOSFET del P-canal se produce usando el proceso avanzado de Trench® del poder del semiconductor de Fairchild que se ha optimizado para el RDS (ENCENDIDO), el funcionamiento y la aspereza que cambiaban.
Tipo del FET | P-canal |
Tecnología | MOSFET (óxido de metal) |
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) | 20V |
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C | 12A (TA), 18A (Tc) |
Conduzca el voltaje (Rds máximo encendido, el minuto el Rds encendido) | 1.5V, 4.5V |
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs | 8 mOhm @ 12A, 4.5V |
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ | 1V @ 250µA |
Bloquee la carga (Qg) (máximo) @ Vgs | 116nC @ 4.5V |
Vgs (máximo) | ±8V |
Capacitancia (Ciss) (máximo) @ Vds de la entrada | 7860pF @ 10V |
Característica del FET | - |
Disipación de poder (máxima) | 2.3W (TA), 41W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo del montaje | Soporte superficial |
Lista de otros componentes electrónicos en existencia | ||||
MB90F347ASPF-GE1 | FUJITSU | TPSD476K025R0250 | AVX | |
IRF7750 | IR | TCD-10-4-75+ | MIINI | |
SAA7146AH | PHILIPS | PPC8347EZQAGD | FREESCAL | |
S1J | MICRO | LTC4311CSC6#TRMPBF | LINEAR | |
RF3000TR13 | RFMD | L5A9358 | LSI | |
MT48H4M16LFB4-8 | MICRÓN | DS3112 | DALLAS | |
TC74AC139P (TB | TOSHIBA | TLE6250G V33 | INFINEON | |
LTC1726IS8-5#TRPBF | LTC | PL3537B | PL | |
HM8450AP | HMC | LTC1872BES6 | LT | |
EMC1023-1-ACZL-TR | SMSC | L652DU90RI | AMD | |
AD7607BSTZ | ADI | L12ESDL5V0C6-4 | LITEON | |
TSX-3225-26MHZ | EPSON | ADS8325IDRBR | TI | |
SPP03N60C3 | INFINEON | FZT605TA | ZETEX | |
LMV358MMX | NS/TI | AT27C800-12RC | ATMEL/ADESTO | |
BR24G64FJ-WE2 | ROHM | UC3705DTR | UNITRODE | |
XC3S1000-4FGG320C | XILINK | STPS3150U | ST | |
RN2104 | TOSHIBA | RFBPF2012080A7T | WALSN | |
MC74F00N | MOT | NJM2296M | JRC | |
IT8712F-A DYS | ITE | LTC7510EUH#3BYPBF | LT | |
TLV431AIDBVR | TI | ADM1030ARQ-REEL | ADI |