Chip CI IGBT del circuito integrado de PS21563-P 3 módulo del conductor de la INMERSIÓN del poder de la fase 600V 10A 35

Número de modelo:PS21563-P
Lugar del origen:China
Cantidad de orden mínima:10pcs
Condiciones de pago:Western Union, T/T, Paypal
Capacidad de la fuente:consulta
Plazo de expedición:2-3 días laborables
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Módulo IGBT del conductor del poder de PS21563-P 3 módulo de la fase 600V 10A 35-PowerDIP

Característica

• Empleando microprocesadores planares de la 5ta generación IGBT con el diseño de los 0.6µm gobierne

o tecnología de CSTBT™ con funcionamiento superior de la pérdida

• Ultra compacto se dobla o la solo-en-línea paquete del moldeo a presión

(compatible con la 2da generación)

• Incluyendo el conductor y el conjunto de circuitos de la protección (ULTRAVIOLETA, SC)

• DIP-IPM con la reducción de la resistencia termal por el 20%

• voltaje del aislamiento 2500Vrms

• lógica de interfaz Alto-activa para la conexión directa a un 3V o a un 5V MCU

• La confiabilidad más alta y funcionamiento optimizado de la EMI

• De 3A a 50A disponible/600V para los grados del motor de 0.1kW a 3.7kW

• Opcional con la topología abierta del emisor para el control de vector

• Toda la INMERSIÓN y Mini-INMERSIÓN-IPMs de Mitsubishi tienen terminales sin plomo

• A partir de enero de 2006 hacia adelante, toda la INMERSIÓN y Mini-INMERSIÓN-IPMs lo van a hacer

suminístrese tecnología totalmente sin plomo

MecanografíeIGBT
ConfiguraciónFase 3
Actual10A
Voltaje600V
Voltaje - aislamiento2500VDC
Paquete/casomódulo 35-PowerDIP

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TSV853ISTSTHMC424LP3HITITA
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Chip CI IGBT del circuito integrado de PS21563-P 3 módulo del conductor de la INMERSIÓN del poder de la fase 600V 10A 35

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