El chip CI del circuito integrado de la energía baja, Jfet entró el circuito TL062CDR de los amplificadores operativos 2

Número de modelo:TL062CDR
Lugar del origen:China
Cantidad de orden mínima:50 PC
Condiciones de pago:Western Union, T/T, Paypal
Capacidad de la fuente:consulta
Plazo de expedición:2-3 días laborables
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Shenzhen Guangdong China
Dirección: C12F, plaza de Huaqiang, Huaqiangbei Shenzhen, China 518031
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Detalles del producto Perfil de la compañía
Detalles del producto

El circuito 1MHz 200µA del amplificador 2 de TL062CDR J-FET escoge 7V ~ 36V, ±3.5V dual ~ 18V

Descripción:

Los amplificadores operativos de la JFET-entrada de la serie de TL06_ se diseñan como versiones de baja potencia de los amplificadores de la serie de theTL08_. Ofrecen la alta impedancia de entrada, el ancho de banda amplio, la alta tarifa de ciénaga, y corrientes bajas del prejuicio de la entrada del offsetand de la entrada. La serie de TL06_ ofrece las mismas asignaciones terminales que la serie de TL07_ andTL08_. Cada uno de éstos los amplificadores operativos de la JFET-entrada incorpora los transistores bipolares de buena compatibilidad, de alto voltaje de JFETand en un circuito integrado. Los dispositivos del C-sufijo se caracterizan para la operación de 0°C a 70°C. que los dispositivos del Yo-sufijo son operación del characterizedfor de −40°C a 85°C, y los dispositivos del M-sufijo se caracterizan para la operación sobre la gama de temperaturas militar completa de −55°C a 125°C.


Cualidades de producto

Tipo del amplificadorJ-FET
Número de circuitos2
Tipo de la salida-
Tarifa de ciénaga3.5V/µs
Producto del ancho de banda del aumento1MHz
Actual - prejuicio de la entrada30pA
Voltaje - compensación de la entrada3mV
Actual - fuente200µA
Voltaje - la fuente, escoge/se dobla (el ±)7V ~ 36V, ±3.5V ~ 18V
Temperatura de funcionamiento0°C ~ 70°C
Tipo del montajeSoporte superficial

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El chip CI del circuito integrado de la energía baja, Jfet entró el circuito TL062CDR de los amplificadores operativos 2

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