Chip CI 50V 450mA 220MHz 25dB 150W TO-272 MRF6V2150NBR1 del circuito integrado del Mosfet LDMOS del RF del canal N

Número de modelo:MRF6V2150NBR1
Lugar del origen:China
Cantidad de orden mínima:2 PC
Condiciones de pago:Western Union, T/T, Paypal
Capacidad de la fuente:consulta
Plazo de expedición:2-3 días laborables
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Mosfet LDMOS 50V 450mA 220MHz 25dB 150W TO-272 del RF del canal N MRF6V2150NBR1

Descripción
Diseñado sobre todo para los usos de la salida y del conductor de la grande-señal del CW con
frecuencias hasta 450 megaciclos. Los dispositivos son incomparables y son convenientes para el uso adentro
usos industriales, médicos y científicos.
Características
• Protección integrada del ESD
• Estabilidad termal excelente
• Facilita el control de ganancia manual, ALC y técnicas de la modulación
• paquete plástico capaz 200°C
• RoHS obediente
• En cinta y carrete. Sufijo R1 = 500 unidades por 44 milímetros, carrete de 13 pulgadas

Cualidades de producto

Tipo del transistorLDMOS
Frecuencia220MHz
Aumento25dB
Voltaje - prueba50V
Grado actual-
Figura de ruido-
Actual - prueba450mA
Poder - salida150W
Voltaje - clasificado110V

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China Chip CI 50V 450mA 220MHz 25dB 150W TO-272 MRF6V2150NBR1 del circuito integrado del Mosfet LDMOS del RF del canal N supplier

Chip CI 50V 450mA 220MHz 25dB 150W TO-272 MRF6V2150NBR1 del circuito integrado del Mosfet LDMOS del RF del canal N

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