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MOSFET 250V 8.8A (Tc) 38W (Tc) del canal N de FQPF9N25C 9N25C a través del agujero TO-220F
Tipo del FET | Canal N |
Tecnología | MOSFET (óxido de metal) |
Drene al voltaje de la fuente (Vdss) | 250V |
Actual - dren continuo (identificación) @ 25°C | 8.8A (Tc) |
Voltaje de la impulsión (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds en (máximo) @ la identificación, Vgs | 430mOhm @ 4.4A, 10V |
Identificación de Vgs (th) (máximo) @ | 4V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (máximo) @ Vgs | 35nC @ 10V |
Vgs (máximo) | ±30V |
Capacitancia entrada (CISS) (máximo) @ Vds | 710pF @ 25V |
Característica del FET | - |
Disipación de poder (máxima) | 38W (Tc) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C |
Lista de otros componentes electrónicos en existencia | ||||
CUS10S30, H3F | TOSHIBA | CY2544C012 | CY | |
BA6907F | ROHM | CP1117-1.8V-BR | GCERAMATE | |
SEMS23 | SAMSUNG | BZX84-C4V7 | PHI | |
PI3EQX6701CZDEX | PERICOM | AP603-F | TRIQUIN | |
MAX8531ETTGG-T | MÁXIMA | ADM3486EARZ | ADI | |
MAX489ECSD+ | MÁXIMA | LM224D | EN | |
ICS525-01RLFT | IDT | HSL226-NKRF-E | RENESAS | |
M50FW040K5TG | ST | MAX6164AESA+ | MÁXIMA | |
40ST1041D | Libra | H8KCSOQJOMBP-56M | HYMIX | |
GP1S296HCPSF | SOSTENIDO | TPS71525DCKR | TI | |
FDS8878 | FAIRCHILD | TMP8155P | TOSHIBA | |
SSI34R3435-CV | TI | MLF2012A2R7JT000 | TDK | |
MT29C4G96MAZAPCJA-5IT JW498 | MICRÓN | LP3999ITL-3.3 | NSC | |
MB89935BPFV-GS-251-BND | FUJITSU | XC4VLX80-10FF1148C | XILINX | |
LM2931AZ-5.0 | NSC | RC28F256P33TFA | INTEL | |
HLMP-2885 | AVAGO | MPGC01DN-LF-Z | P.M. | |
FAN5308MPX | FAIRCHLD | ICL7107CPL | HAR | |
SN74LS30 | TI | AO4468 | ALFA | |
LE89116QVCT | LEGERIT | TRF96200GQER | TI | |
88SE6445-TFJ2 | MARVELL | TPS2053ADR | TI |