Transistor del carburo de silicio del transistor de poder de RD06HVF1 RF 175MHz 6W para los amplificadores

Transistor 175MHz 6W del silicio del MOSFET del PODER de RD06HVF1 RF para los usos de los amplificadores

Descripción de RD06HVF1

RD06HVF1 es un tipo transistor del FET del MOS diseñado específicamente para los usos de los amplificadores de potencia del RF del VHF

CARACTERÍSTICAS de RD06HVF1

Aumento del poder más elevado: Pout>6W, Gp>13dB @Vdd=12.5V, f=175MHz

USO de RD06HVF1

Para la etapa de la salida de los amplificadores de poder más elevado en sistemas de radio móviles de la banda del VHF.

La electrónica de Koben fue fundada en 1995 y está situada en Silicon Valley de China, Shenzhen. 

La misión de Koben ha sido siempre proporcionar componentes de la electrónica de la calidad a los fabricantes por todo el mundo. A principios de hicimos un conducto primario para el inventario del fin-de-programa y del sobreabastecimiento para los distribuidores importantes tales como fabricantes futuros de la electrónica y de contrato como Flextronics. Koben ha añadido desde entonces la compra de componentes de los componentes de alta calidad de fabricantes locales en China.

Koben ha sido siempre cliente conducido bastante que la oportunidad conducida. Significando elegiremos siempre la trayectoria que es la mejor para la relación a largo plazo con el cliente sobre la visión a corto plazo. Es porqué tenemos uno de la retención más alta del cliente decenas de distribuidores basados China.