Módulo óptico del diodo láser del aislador 1550nm DFB de InGaAs del fotodiodo incorporado del monitor con y sin TEC
Number modelo:Módulos coaxiales del laser del diodo láser de la coleta DFB de la fibra óptica
Lugar del origen:China
Cantidad de orden mínima:10sets
Condiciones de pago:Western Union, L/C, T/T
Capacidad de la fuente:5000pcs por semana
Detalles de empaquetado:26X5.5X19 cm 0.3KG para 10 PC
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Shenzhen Guangdong China
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Distrito del sur 518054 Shenzhen China del edificio 9no Yinxingyuan Rd Nanshan del Rm 604
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Módulo óptico del diodo láser del aislador 1550nm DFB de InGaAs del fotodiodo incorporado del monitor con y sin TEC
el módulo del diodo láser de 1550nm DFB tiene un fotodiodo incorporado del monitor de InGaAs y un aislador óptico integrados dentro de su paquete.
Su ancho de banda directo de la modulación es mayor que 1.8GHz. Este diodo láser es conveniente para los usos en redes ópticas
por ejemplo sistemas de comunicación móvil y sistemas de CATV.
Características:
- Ancho de banda análogo más alto que 1800MHz
- microprocesador del laser de la Alto-confiabilidad DFB en 1310nm o 1550nm
- Fotodiodo incorporado del monitor de InGaAs
- Aislador óptico incorporado
- el paquete pigtailed coaxial 4-pin, el solo modo FC/APC o el conector de SC/APC (o el otro tipo del conector)
Usos:
- Sistemas ópticos del repetidor de la fibra en redes de comunicaciones móviles
- Sistemas de transmisión de CATV (trayectorias de vuelta/vínculos)
- Otros usos análogos
Especificaciones:
Los diodos con la salida estándar 2mW o el poder de alto rendimiento 5mW están disponibles.
Grados máximos absolutos
| Parámetro | Símbolo | Mínimo. | Máximo. | Unidad | Condición de prueba |
| Temperatura de almacenamiento | Tstg | -40 | 100 | ℃ | - |
| Temperatura de funcionamiento | Top | -40 | 85 | ℃ | - |
| Actual delantero (LD) | Si (LD) | 150 | mA | ||
| Voltaje reverso (LD) | Vr (paladio) | 2 | V | ||
| Actual delantero (paladio) | Si (LD) | 2 | mA | ||
| Voltaje reverso (paladio) | Vr (paladio) | 15 | V | ||
| Temporeros que sueldan | - | - | 260 | ℃ | - |
| Tiempo que suelda | - | - | 10 | S | S |
Características ópticas y eléctricas
| Parámetro | Símbolo | Mínimo. | Tipo. | Máximo. | Unidad | Condición de prueba |
| Poder clasificado | Po | 6 | 8 | mW | Ith+40mA | |
| Corriente del umbral | Ith | 5 | 10 | mA | CW | |
| Funcionamiento de funcionamiento | Si | 45 | 55 | mA | CW, P=Po | |
| Caída de voltaje delantera | Vop | - | 1,1 | 1,5 | V | CW, Ith+40mA |
| Longitud de onda del centavo | λc | 1540 | 1550 | 1560 | nanómetro | -3DB |
| Anchura del espectro | Δλ | - | 0,2 | nanómetro | -20dB | |
| ratio de la supresión del Lado-modo | SMSR | 35 | - | DB | - | |
| Ancho de banda (3dB) | Bw | - | 2,5 | Gigahertz | - | |
| Corriente del monitor | Im | 0,1 | 0,9 | mA | CW, Ith+40mA | |
| Corriente oscura del monitor | Identificación | - | - | 0,1 | UA | 5V |
| Ruido relativo de la intensidad | RIN | - | -155 | -150 | dB/Hz | CW, 25℃ |
| Llanura sintonizada del RF | FB | ±1.0 | DB | If=Iop, 45MHz-2500MHz, °C T=25 | ||
| distorsión del Tercero-orden | IMD3 | - | -55 | - | dBc | prueba de 2 tonos, |
| Aislamiento óptico | ISO | 30 | 40 | - | DB | 25℃ |
Módulo óptico del diodo láser del aislador 1550nm DFB de InGaAs del fotodiodo incorporado del monitor con y sin TEC
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