fotodiodo de InGaAs de la pequeña área 1100nm-1650nm con el tipo del SC del microprocesador del detector de InGaAs
Number modelo:Fotodiodo de InGaAs con el tipo del SC del microprocesador del detector de InGaAs
Lugar del origen:China
Cantidad de orden mínima:50 PC
Condiciones de pago:Western Union, L/C, T/T
Capacidad de la fuente:500pcs por semana
Detalles de empaquetado:Caja del ESD
Contacta
Add to Cart
Miembro del sitio
Shenzhen Guangdong China
Dirección:
Distrito del sur 518054 Shenzhen China del edificio 9no Yinxingyuan Rd Nanshan del Rm 604
Proveedor Último login veces:
Dentro de 28 Horas
Detalles del producto
Perfil de la compañía
Detalles del producto
fotodiodo de InGaAs de la pequeña área 1100nm-1650nm con el tipo del SC del microprocesador del detector de InGaAs
El fotodiodo de InGaAs de la pequeña área 1100nm-1650nm utiliza un microprocesador del detector de InGaAs, y ofrece un bajo consumo de energía,
pequeña sensibilidad actual, alta oscura, grandes linearidades, diseño compacto y pequeño volumen.
El equipo es el más de uso general de receptores de CATV, del equipo de la detección del poder y de receptores de la señal óptica para los sistemas análogos.
Grados máximos absolutos
| Parámetro | Símbolo | Grados | Unidad |
| Temperatura de almacenamiento | Tstg | ~40 〜 +100 | °C |
| Temperatura de funcionamiento | Top | -40 〜 +85 | °C |
| Max Input Power | Pmax | +4 | dBm |
| Voltaje de funcionamiento | Vop | 5 | V |
| Voltaje reverso del paladio | VR (PALADIO) | 25 | V |
| Temporeros que sueldan | - | 260 | °c |
| Tiempo que suelda | - | 10 | s |
Características ópticas y eléctricas
| Parámetro | Símbolo | Mínimo. | Tipo. | Máximo. | Unidad | Condición de prueba |
| Gama de longitud de onda | λ | 1100 | - | 1650 | nanómetro | - |
| Rango de potencia | P | -70 | - | +4 | dBm | V=5V |
| Diámetro activo | Anuncio | 75 | um | - | ||
| Corriente oscura | Identificación | - | 0,2 | 0,5 | nA | - |
| Responsivity | R | - | 0,85 | 0,90 | A/W | 入 =1310 nanómetro |
| 0,90 | 0,95 | 入 =1550 nanómetro | ||||
| Ancho de banda de la frecuencia | Bw | 1 | 2000 | Megaciclo | ||
| Respuesta de frecuencia | Franco | - | 土 0,5 | - | DB | |
| Capacitancia | Ct | - | 0,65 | 0,75 | PF | - |
| Tiempo de respuesta | Tr | 0,1 | - | ns | - | |
| Pérdida de vuelta | R1 | -45 | DB | |||
| cso del cso | - | - | -70 | - | dBc | 45~860MHz |
| CTB CTB | - | - | -80 | - | dBc | 45~860MHz |
Hicorpwell es un enchufe profesional en los módulos coaxiales del diodo del fotodetector de InGaAs (receptáculo activo óptico análogo ROSA enchufar)
fabricante en China. También proporcionamos los diodos láser de la mariposa, diodo de detector coaxial del laser de la coleta de InGaAs, dispositivo coaxial del laser del diodo de la coleta
y más.
Asignación de Pin 5.PD:
fotodiodo de InGaAs de la pequeña área 1100nm-1650nm con el tipo del SC del microprocesador del detector de InGaAs
Carro de la investigación
0