1550nm 1610nm TEC BOSA DFB integrado módulo LD y paladio análogo del PIN de InGaAs
Number modelo:módulo de 1610nm TEC BOSA
Lugar del origen:CHINA
Cantidad de orden mínima:1 sistema
Condiciones de pago:Western Union, L/C, T/T
Capacidad de la fuente:500pcs por semana
Detalles de empaquetado:Paquete coaxial de DFB
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Shenzhen Guangdong China
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Distrito del sur 518054 Shenzhen China del edificio 9no Yinxingyuan Rd Nanshan del Rm 604
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módulo DFB integrado LD y paladio análogo 1550nm de 1610nm TEC BOSA del PIN de InGaAs para CATV RFoG
Hicorpwell el sub-ensamble parcial óptico de la sola fibra se diseña para los applicatons de CATV.
Integra el detector de MQW CWDM DFB LD y del PIN de InGaAs para la señal análoga 1550nm.
Él paladio incorporado del monitor de InGaAs y chipset TÉCNICO.
Temperatura de funcionamiento -40 a °C 85
Transmisor óptico y eléctrico de las características
| Parámetro | Símbolo | Minuto | Tipo | Máximo | Unidad | Condición |
| De potencia de salida clasificado | Abadejo | 2,0 | - | 3,0 | mW | If=30mA |
| Longitud de onda de Tx | nanómetro | 1607 | 1613 | nanómetro | ||
| Corriente del umbral | Ith | - | 10 | 15 | mA | CW |
| Eficacia de la cuesta | Es | 0,1 | - | - | W/A | |
| Error de seguimiento | TE | -1,5 | - | 1,5 | DB | |
| Aislamiento óptico | ISO | 30 | - | - | DB | |
| TEC | Qmax | - | - | 0,6 | W |
| Parámetro | Símbolo | Minuto | Tipo | Máximo | Unidad | Condición |
| Gama de longitud de onda | λ | 1540 | 1550 | 1560 | nanómetro | CW |
| Sobrecarga | P | 3 | - | - | dBm | |
| Ancho de banda | BW | 1,5 | - | Gigahertz | - | |
| Responsivity | R | 0,80 | 0,85 | - | A/W | λ =1550nm |
| Diámetro activo | Anuncio | 75 | um | - |
1550nm 1610nm TEC BOSA DFB integrado módulo LD y paladio análogo del PIN de InGaAs
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