Transistor de banda ancha ancho de los FETs 28V LDMOS RF del transistor de poder de la banda 700-3600MHz 20W RF LDMOS, transistores del RF del poder más elevado

Número de modelo:VBE36015E2
Lugar del origen:China
Cantidad de orden mínima:1pcs
Capacidad de la fuente:10k
Plazo de expedición:5-8 días laborables
Detalles de empaquetado:embalaje neutral
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China Transistor de banda ancha ancho de los FETs 28V LDMOS RF del transistor de poder de la banda 700-3600MHz 20W RF LDMOS, transistores del RF del poder más elevado supplier

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