DC a los transistores de GaN del poder más elevado de la banda ancha del nitruro 28V del galio del transistor de poder de 4GHz 60W RF

Número de modelo:VBE6006H
Lugar del origen:China
Cantidad de orden mínima:1pcs
Capacidad de la fuente:10k
Plazo de expedición:5-8 días laborables
Detalles de empaquetado:embalaje neutral
Contacta

Add to Cart

Evaluación de proveedor
Shenzhen Guangdong China
Dirección: Piso 4, construyendo 8, zona industrial de Xinwei, distrito de Nanshan, Shenzhen, provincia de Guangdong, China
Proveedor Último login veces: Dentro de 2 Horas
Detalles del producto Perfil de la compañía
Detalles del producto

 

 

 

China DC a los transistores de GaN del poder más elevado de la banda ancha del nitruro 28V del galio del transistor de poder de 4GHz 60W RF supplier

DC a los transistores de GaN del poder más elevado de la banda ancha del nitruro 28V del galio del transistor de poder de 4GHz 60W RF

Carro de la investigación 0