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amplificador de poco ruido LNA, módulo del amplificador de potencia del RF, comunicación de la banda X 7-10.5GHz de Satallite
Instrucciones del módulo del amplificador de potencia de VBE RF:
Solutios de VBE de los módulos del RF incluyendo fuente de la señal de la radiofrecuencia, el amplificador de potencia de radiofrecuencia (PA), el amplificador de poco ruido (LNA), la unidad al aire libre de la radiofrecuencia (ODU) y la solución modificada para requisitos particulares del módulo de la radiofrecuencia, la banda de la P-onda de la cubierta de la banda de frecuencia, la banda de la L-onda, la banda de la S-onda, la banda de la Ku-onda y la banda de la Ka-onda y así sucesivamente, ampliamente aplicándose en sistema de gama alta del equipo. El módulo adoptar varia tecnología avanzada en el producto que diseña y satisfacer diverso requisito de la función y de la parametrización para la optimización del tratamiento.
Especificaciones técnicas:
NO. | Artículo | Descripción | Min Typical Max | Unidad |
1 | Banda de frecuencia | B C D E | 7,25 7,75 8,0 8,4 7,5 8,5 8,0 9,0 10,0 10,5 | Gigahertz |
2 | Aumento | A elección | 50 60 | DB |
3 | Llanura del aumento | Banda llena | +/--0,75 | DB |
4 | VSWR | Entrada Salida | 1.25:1 1.5:1 | |
5 | Temperatura de ruido | 23°C | 60 70 80 | °K |
6 | compresión 1dB Poder del punto | ≥+10 | dBm | |
7 | 3ro orden IMD | Dual-tone-12dBm | ≤-51 | dBc |
8 | Estabilidad del aumento | 24 horas | +/--0,5 | DB |
9 | Conector | Entrada Salida | Guía de onda N o SMA | |
10 | Sobrecarga entrada | Sobrecarga 1min | 0 | dBm |
11 | Voltaje de funcionamiento | DC | +12 +15 | V |
12 | Temperatura de trabajo | -40~+70 | °C |
Características de producto:
1. Banda de frecuencia ancha;
2. ruido bajo de la salida;
3. bajo consumo de energía, alta linearidad;
4. proceso híbrido del micromontaje, estabilidad tamaño pequeño,
alta;
5. gama de temperaturas ancha de funcionamiento;
6. disponible por encargo
Usos: