Inalámbrico/radio/banda de frecuencia de banda ancha del gigahertz del amplificador 1,1 – 1,7 del Rf
Número de modelo:VBE-200PA
Lugar del origen:China
Cantidad de orden mínima:1set
Condiciones de pago:T/T, Western Union,
Capacidad de la fuente:10000 PC por mes
Plazo de expedición:7-15 días
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Shenzhen Guangdong China
Dirección:
Piso 4, construyendo 8, zona industrial de Xinwei, distrito de Nanshan, Shenzhen, provincia de Guangdong, China
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Detalles del producto
Inalámbrico/radio/banda de frecuencia de banda ancha del gigahertz del amplificador 1,1 – 1,7 del Rf
PA de estado sólido del amplificador de potencia del poder más
elevado 1.1-1.7GHz RF, módulo del amplificador de potencia del RF
CARACTERÍSTICAS DEL AMPLIFICADOR DE POTENCIA:
Diseño linear de la clase A/AB GaN
Sistema montado estante
Ancho de banda amplio instantáneo
Conveniente para EMI/RFI de banda ancha, laboratorio, Comm., y usos de la guerra electrónica
Conveniente para el pulso y todos los estándares de la modulación del monocanal
Circuitos de protección incorporados
Altas confiabilidad y aspereza para las aplicaciones móviles
ESPECIFICACIONES DEL AMPLIFICADOR DE POTENCIA:
| Parámetro | Especificación | Notas | |||||
| Gama de frecuencia de funcionamiento | 1,1 – 1,7 gigahertz | ||||||
| Saturación de la salida de poder @ | Tipo de 300 vatios | CW | |||||
| Salida de poder @ P1dB | Minuto de 200 vatios | ||||||
| Aumento del poder | minuto del DB 54 | Pin=0dBm para la operación normal | |||||
| Llanura del aumento del poder | 3,0 DB p-p máximo | Energía de entrada constante | |||||
| Características del pulso | Anchura | Deber | PRF | ||||
| 100 nS | |||||||
| Pérdida de vuelta entrada | -10 DB máximo | En relación con 50 ohmios | |||||
| Intermodulación del 2-tono (IMD) | -30 tipo del dBc | 44dBm/Tone, = 1MHz | |||||
| Figura de ruido | <20 dB=""> | ||||||
| Armónicos | <-20 dBc="" Typ=""> | En de potencia de salida clasificado | |||||
| Falso | -60 dBc máximo | No-armónicos | |||||
| Voltaje de funcionamiento | 180 - 240 VAC | ||||||
| Consumo de energía | 1500 vatios de máximo | En el abadejo clasificado | |||||
| Protección de la energía entrada | dBm +20 máximo | <10 Sec="" without="" damage=""> | |||||
| Protección de la carga VSWR | 5: 1 máximo | <1 minute="" at="" rated="" Pout=""> | |||||
| CARACTERÍSTICAS AMBIENTALES | |||||||
| Parámetro | Especificación | Notas | |||||
| Temperatura ambiente de funcionamiento | °C 0 a +50 | ||||||
| Temperatura de almacenamiento | °C -40 a +85 | ||||||
| Humedad relativa | 5 al 95% | Sin condensación | |||||
| ESPECIFICACIONES MECÁNICAS | |||||||
| Parámetro | Especificación | Notas | |||||
| Dimensiones W x H x D | 430 x 222 x 560 milímetros | 5U - Excepto las manijas | |||||
| Peso | 35 kilogramos | ||||||
| En/hacia fuera de los conectores del RF | Tipo-n hembra | Panel delantero o trasero | |||||
| Corriente ALTERNA/interfaz | IEC 60320-C14/9-Pin D-sub | O equivalente | |||||
| Enfriamiento | Construido en el enfriamiento de la fan | Velocidad variable | |||||
| OPCIONAL: Monitor y control de Digitaces: | Ethernet RJ-45 TCP/IP, RS422/485, USB | Opcional | |||||
Inalámbrico/radio/banda de frecuencia de banda ancha del gigahertz del amplificador 1,1 – 1,7 del Rf
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