1 - bajo consumo de energía de la estabilidad del módulo del amplificador de potencia de 2GHz RF alto

Número de modelo:VBP2GL
Lugar del origen:China
Cantidad de orden mínima:1set
Condiciones de pago:T / T, Western Union,
Capacidad de la fuente:10000 PC por mes
Plazo de expedición:7-15 días
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Shenzhen Guangdong China
Dirección: Piso 4, construyendo 8, zona industrial de Xinwei, distrito de Nanshan, Shenzhen, provincia de Guangdong, China
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1-2GHz, banda L, amplificador de poco ruido LNA, módulo del RF del amplificador de potencia del RF

Modelo: VBP2GL


Instrucciones del módulo del amplificador de potencia de VBE RF:


Soluciones de VBE de los módulos del RF incluyendo fuente de la señal de la radiofrecuencia, el amplificador de potencia de radiofrecuencia (PA), el amplificador de poco ruido (LNA), la unidad al aire libre de la radiofrecuencia (ODU) y la solución modificada para requisitos particulares del módulo de la radiofrecuencia, la banda de la P-onda de la cubierta de la banda de frecuencia, la banda de la L-onda, la banda de la S-onda, la banda de la Ku-onda y la banda de la Ka-onda y así sucesivamente, ampliamente aplicándose en sistema de gama alta del equipo. El módulo adopta varia tecnología avanzada en el producto que diseña y satisface diverso requisito de la función y de la parametrización para la optimización del tratamiento.


Características:


1. Banda de frecuencia ancha;
2. ruido bajo de la salida;
3. bajo consumo de energía, alta linearidad;
4. proceso del micromontaje del híbrido, estabilidad tamaño pequeño, alta;
5. gama de temperaturas ancha de funcionamiento;
6. disponible por encargo


Especificaciones técnicas:


NO.ArtículoDescripciónMáximo típico del minutoUnidad
1Banda de frecuenciaA
B
C
1,5 1,6
1,4 1,7
1,1 1,6
Gigahertz
2AumentoA elección40 50 60DB
3Llanura del aumentoBanda llena+/--0,5DB
4VSWREntrada-salida1.3:1
5Temperatura de ruido23°C45°K
6poder del punto de la compresión 1dB
≥+10dBm
73ro orden IMDDual-tone-12dBm≤-51dBc
8Estabilidad del aumento24 horas+/--0,5DB
9ConectorEntrada-salidaN o SMA
10Sobrecarga de la entradaSobrecarga 1min0dBm
11Voltaje de funcionamientoDC+12 +15V
12Temperatura de trabajo
-40~+70°C

Usos:


  • Comunicación de Satallite;
  • Comunicación militar;
  • Atasco de señales de radio;
  • Contramedidas electrónicas (ECM);
  • Comunicaciones móviles;
  • Etc.
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1 - bajo consumo de energía de la estabilidad del módulo del amplificador de potencia de 2GHz RF alto

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