1 - bajo consumo de energía de la estabilidad del módulo del amplificador de potencia de 2GHz RF alto
Número de modelo:VBP2GL
Lugar del origen:China
Cantidad de orden mínima:1set
Condiciones de pago:T / T, Western Union,
Capacidad de la fuente:10000 PC por mes
Plazo de expedición:7-15 días
Contacta
Add to Cart
Evaluación de proveedor
Shenzhen Guangdong China
Dirección:
Piso 4, construyendo 8, zona industrial de Xinwei, distrito de Nanshan, Shenzhen, provincia de Guangdong, China
Proveedor Último login veces:
Dentro de 2 Horas
Detalles del producto
Perfil de la compañía
Detalles del producto
1-2GHz, banda L, amplificador de poco ruido LNA, módulo del RF del amplificador de potencia del RF
Modelo: VBP2GL
Instrucciones del módulo del amplificador de potencia de VBE RF:
Soluciones de VBE de los módulos del RF incluyendo fuente de la señal de la radiofrecuencia, el amplificador de potencia de radiofrecuencia (PA), el amplificador de poco ruido (LNA), la unidad al aire libre de la radiofrecuencia (ODU) y la solución modificada para requisitos particulares del módulo de la radiofrecuencia, la banda de la P-onda de la cubierta de la banda de frecuencia, la banda de la L-onda, la banda de la S-onda, la banda de la Ku-onda y la banda de la Ka-onda y así sucesivamente, ampliamente aplicándose en sistema de gama alta del equipo. El módulo adopta varia tecnología avanzada en el producto que diseña y satisface diverso requisito de la función y de la parametrización para la optimización del tratamiento.
Características:
1. Banda de frecuencia ancha;
2. ruido bajo de la salida;
3. bajo consumo de energía, alta linearidad;
4. proceso del micromontaje del híbrido, estabilidad tamaño
pequeño, alta;
5. gama de temperaturas ancha de funcionamiento;
6. disponible por encargo
Especificaciones técnicas:
| NO. | Artículo | Descripción | Máximo típico del minuto | Unidad |
| 1 | Banda de frecuencia | A B C | 1,5 1,6 1,4 1,7 1,1 1,6 | Gigahertz |
| 2 | Aumento | A elección | 40 50 60 | DB |
| 3 | Llanura del aumento | Banda llena | +/--0,5 | DB |
| 4 | VSWR | Entrada-salida | 1.3:1 | |
| 5 | Temperatura de ruido | 23°C | 45 | °K |
| 6 | poder del punto de la compresión 1dB | ≥+10 | dBm | |
| 7 | 3ro orden IMD | Dual-tone-12dBm | ≤-51 | dBc |
| 8 | Estabilidad del aumento | 24 horas | +/--0,5 | DB |
| 9 | Conector | Entrada-salida | N o SMA | |
| 10 | Sobrecarga de la entrada | Sobrecarga 1min | 0 | dBm |
| 11 | Voltaje de funcionamiento | DC | +12 +15 | V |
| 12 | Temperatura de trabajo | -40~+70 | °C |
Usos:
- Comunicación de Satallite;
- Comunicación militar;
- Atasco de señales de radio;
- Contramedidas electrónicas (ECM);
- Comunicaciones móviles;
- Etc.
1 - bajo consumo de energía de la estabilidad del módulo del amplificador de potencia de 2GHz RF alto
Carro de la investigación
0