Sistema de recubrimiento de litografía por ultrasonidos fotoresistentes de semiconductores

Número de modelo:Las condiciones de los productos
Lugar de origen:China.
Cantidad mínima de pedido:1 Unidad
Condiciones de pago:T/T, Western Union
Capacidad de suministro:Unidad 1000 por mes
Detalles del embalaje:embalado por el caso de madera
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Hangzhou Zhejiang China
Dirección: No. 196 pueblo de Shitashang Qiufeng, Subdistrict de Fuchun, distrito de Fuyang, ciudad de Hangzhou, provincia de Zhejiang, China. 311400
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Sistema de recubrimiento de litografía por ultrasonidos fotoresistentes de semiconductores


 
Descripción:


La fumigación ultrasónica es un proceso simple, económico y reproducible para el recubrimiento fotoresistente en el procesamiento de obleas de fotolitografía.El sistema de recubrimiento de litografía ultrasónica fotorresistente de semiconductores de FUNSONIC utiliza tecnología avanzada de capas para controlar con precisión el caudalEl moldeado por pulverización a baja velocidad define el pulverización atomizada como un patrón preciso y controlable para evitar el exceso de pulverización y producir capas muy finas y uniformes.
El sistema de recubrimiento de litografía ultrasónica fotoresistente de semiconductores de FUNSONIC tiene ventajas en el depósito de recubrimientos más uniformes.especialmente a lo largo de la parte superior de las paredes laterales de ranuras de alta relación de aspecto y estructuras de ranuras en forma de VLa rotación centrífuga no puede depositar revestimientos uniformes a lo largo de las paredes laterales, sin acumular demasiada fotoresistencia en el fondo de la cavidad.

 
 
Parámetros:

 

Tipo de producto

Máquina de recubrimiento por rociado de precisión ultrasónica Tipo de escritorio de laboratorio

Las condiciones de funcionamiento

Máquina de recubrimiento de precisión por ultrasonidos inteligente Tipo de escritorio

Las demás:

Frecuencia de funcionamiento de la boquilla de rociado20 a 200 kHz20-200KHz (Normalmente se utiliza 60100110120K)
Potencia de la boquilla1 a 15 W1 a 15 W
Volumen máximo de pulverización continua00,01 a 50 ml/min00,01 a 50 ml/min
Ancho de pulverización efectivo2 a 100 mm2 a 100 mm
Uniformidad de los aerosoles≥95%≥95%
Tasa de conversión de la solución≥95%≥95%
espesor de la película seca20 nm-100 μm20 nm-100 μm
Viscosidad de la solución≤ 30 cps≤ 30 cps
Rango de temperatura1-60°C1-60°C
Las partículas atomizadas (valor medio)10-45μm (agua destilada), determinada por la frecuencia de la boquilla10-45μm (agua destilada), determinada por la frecuencia de la boquilla
Presión de desvío máximaNo más de 0,10 MPA≤ 0,15 MPA
Válvula de entradaLas emisiones de gases de efecto invernadero de los gases de efecto invernadero de los gases de efecto invernaderoLas emisiones de gases de efecto invernadero de los gases de efecto invernadero de los gases de efecto invernadero
Modo de ejercicioX + Y dos ejes totalmente automático, ajuste manual del eje ZXYZ de tres ejes, programable de forma independiente
Modo de controlTarjeta de microordenador, pantalla táctil de 7 pulgadas + botonesSistema de control de pulverización FUNSONIC, control PLC, pantalla táctil a todo color de 13,3 pulgadas
Contenido del controlPulverización ultrasónica, suministro de líquidos, calefacción, dispersión ultrasónica y otros sistemasPulverización ultrasónica, suministro de líquidos, calefacción, dispersión ultrasónica y otros sistemas
Método de suministro de líquidoBomba de inyección de precisiónBomba de inyección de precisión
Sistema de dispersión ultrasónica (opcional)50 ml, 40K, muestreo de grado biológico20 ml o 50 ml, 40K, muestreo de grado biológico
Potencia nominal del sistema de dispersión ultrasónica200 W, 10 A100 W


 

Ventajas:

 

1. Cobertura uniforme de la película de los diversos contornos de la superficie.
2. Capaz de revestir ranuras de alta relación de aspecto con una excelente uniformidad.
3Espray de atomización no obstruyente.
4Capaz de depositar capas muy uniformes de una sola micra.
5Proceso de pulverización de madurez repetible.


   

 



 


 

 

 


 

 

 

 


 

 

 

Sistema de recubrimiento de litografía por ultrasonidos fotoresistentes de semiconductores

 

 

 

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