Módulo de poder positivo de la temperatura IGBT del alto cortocircuito SKM400GB12T4

Number modelo:SKM400GB12T4
Lugar del origen:original
Cantidad de orden mínima:5-10pcs
Condiciones de pago:T/T, Western Union, PayPal
Capacidad de la fuente:10,000pcs
Plazo de expedición:en existencia 2-3days
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Shenzhen Guangdong China
Dirección: FORTUNA del RM 311 3/F LINZHAN QUE CONSTRUYE EL ÁREA SHENZHEN, CHINA del CAMINO LIUYUE LONGGANG de la CALLE SHENFENG de No.1 SHENHUA
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Detalles del producto Perfil de la compañía
Detalles del producto

Coeficiente de temperatura positivo IGBT 4 cortocircuito rápido de los módulos de SKM400GB12T4 del alto


Características
• IGBT4 = generación 4. (foso) IGBT
• VCEsat con coeficiente de temperatura positivo
• Alta capacidad del cortocircuito, uno mismo que limita a 6 x ICNOM
• Diodo suave de la caloría de la generación de la transferencia 4. (CAL4)
Usos típicos
• Impulsiones del inversor de la CA
• UPS
• Soldadores electrónicos en el fsw hasta 20 kilociclos
Observaciones
• Temperatura de caso limitada a
Tc = 125°C máximo, recomm.
Top = -40… +150°C, producto
rel. resultados válidos para Tj = 150°
Tehcnology Co., Ltd de la electrónica de la tienda de delicatessen
Correo electrónico: sales3@deli-ic.com
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Contacto: VIVI-CHEN
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Módulo de poder positivo de la temperatura IGBT del alto cortocircuito SKM400GB12T4

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