Tecnología de proceso avanzada INFINEON Alemania del interruptor de IRFB4227PB PDP
Características
¿? Tecnología de proceso avanzada
¿? Los parámetros dominantes optimizados para PDP sostienen,
Usos del interruptor de la recuperación y del paso de energía
¿? Grado bajo de EPULSE para reducir poder
La disipación en PDP sostiene, recuperación de energía y los usos
del interruptor del paso
¿? QG bajo para la respuesta rápida
¿? Alta capacidad repetidor de la corriente de pico para la
operación confiable
¿? Caída corta y tiempos de subida para la transferencia rápida
¿? temperatura de empalme de funcionamiento 175°C para la aspereza
mejorada
¿? Capacidad repetidor de la avalancha para la robustez y la
confiabilidad
¿? Amplificador audio 300W-500W (semipuente) de la clase-d
Descripción
Este MOSFET⑧ de HEXFETPower se diseña específicamente para Sustain;
Usos del interruptor de la recuperación y del paso de energía en
los paneles de pantalla de plasma.
Este MOSFET utiliza las últimas técnicas de proceso para alcanzar
en-resistencia baja por área del silicio
y grado bajo del SE de EpuL. Las características adicionales de
este MOSFET son 175°C
temperatura de empalme de funcionamiento y alta capacidad repetidor
de la corriente de pico.
Estas características combinan para hacer este MOSFET un
dispositivo muy eficiente, robusto y confiable para PDP que conduce
usos.
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